[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

形成在所述基底上的电子器件、及位于相邻电子器件之间的第一复合层；所述相邻电子器件沿平行于基底的方向设置；

其中，所述第一复合层至少包括有机平坦层；

所述电子器件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

形成在所述基底上的无机隔离缓冲层；

形成在所述无机隔离缓冲层上的有源层；

形成在所述有源层上的第一无机栅绝缘层；

形成在所述第一无机栅绝缘层上的栅极；

形成在所述栅极上的复合无机膜层；

形成在所述复合无机膜层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置；

其中，复合无机膜层在所述源极和所述漏极之间具有间隙，所述间隙中填充有所述有机平坦层；所述有机平坦层还覆盖所述源极和所述漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述间隙的深度小于或等于所述复合无机膜层的厚度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述复合无机膜层包括第二无机栅绝缘层和层间无机绝缘层，所述第二无机栅绝缘层靠近所述栅极设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一复合层还包括层叠设置的所述无机隔离缓冲层、所述第一无机栅绝缘层和所述第二无机栅绝缘层，所述无机隔离缓冲层靠近所述基底设置，所述有机平坦层靠近所述第二无机栅绝缘层设置。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有机平坦层的厚度大于或等于0.5微米，且小于或等于4微米。

6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有机平坦层上还形成有附加走线。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底；

在所述基底上形成电子器件、及位于相邻电子器件之间的无机复合层；所述相邻电子器件沿平行于基底的方向设置；

去除至少部分无机复合层；

形成有机平坦层，所述有机平坦层覆盖所述电子器件及剩余所述无机复合层；

其中，所述电子器件包括薄膜晶体管，所述在所述基底上形成电子器件及电子器件之间的无机复合层，包括：

在所述基底上形成无机隔离缓冲层；

在所述无机隔离缓冲层上形成有源层；

形成第一无机栅绝缘层；

在所述第一无机栅绝缘层上形成栅极；

形成复合无机膜层；

在所述复合无机膜层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极同层设置；

以源漏极图案为掩模图案，对所述源极和所述漏极之间的复合无机膜层进行刻蚀，形成间隙；

所述形成有机平坦层，包括：

在所述间隙中填充形成有机平坦层；

其中，所述有机平坦层还覆盖所述源极和所述漏极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成有机平坦层之后，还包括：

在所述有机平坦层上形成附加走线。