[发明专利]一种掩模板及其制作方法有效
申请号: | 201811108567.5 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109188860B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 黄执祥;侯广杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市龙图光电有限公司 |
主分类号: | G03F1/88 | 分类号: | G03F1/88;G03F1/80;G03F1/68 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 彭家恩;郭燕 |
地址: | 518104 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模板 及其 制作方法 | ||
1.一种掩模板,其特征在于:所述掩模板包括:基板(1) 和光阻层(3),所述光阻层(3)设置在所述基板(1) 上,所述光阻层(3) 与产品接触的一侧为顶壁(4),所述顶壁(4) 具有至少两个平行于所述基板(1) 的贴合面(41),相邻贴合面(41)的高度不同,相邻贴合面(41)间通过垂直于所述基板(1)的连接壁(42)连接,所述顶壁(4)用于记载三维立体结构信息,所述贴合面(41)的高度是指所述贴合面(41)到所述基板(1)的垂直距离,
所述掩模板还包括阻光金属层(2),所述阻光金属层(2)设置在所述基板(1)和所述光阻层(3)之间,
所述基板(1)、所述阻光金属层(2)和所述光阻层(3)间采用粘接或镀层的连接方式连接,
产品的三维立体结构与所述光阻层(3)的三维立体结构相契合,当需要生产具有多层结构的产品时,通过电镀、注塑或直接压印的方式将所述光阻层(3)所含的三维立体结构信息传递到产品的原材料上,
每个所述贴合面(41)的高度能够根据产品立体结构的需求设置成任意高度,
每个所述贴合面(41)的形状能够根据产品立体结构的需求设置成任意形状,
所述光阻层(3)的形状能够设置为半球状或金字塔状,
通过设置所述贴合面(41),能够使所述光阻层(3) 呈现不同的三维立体结构,从而达到储存三维立体结构信息的作用,
所述基板(1)为玻璃载板,所述玻璃载板的厚度 b为:1mm≤b≤ 10mm,所述光阻层(3)的厚度为 a 为:200nm≤a≤10000nm,
制作所述掩模板的方法包括如下步骤:
形成立体图步骤 S1,产品的形状与所述光阻层(3) 的形状相契合,根据需要生产的产品形状形成需要制作的掩模板的光阻层(3)的三维立体图,
分割步骤 S2,将形成立体图步骤 S1 中得到的三维立体图的所述顶壁(4)切割,使所述顶壁(4)上的所述贴合面(41)间分割开,
形成二维图步骤 S3,设置一平行于所述基板(1)的投影面,分别将分割步骤 S2中得到的所述贴合面(41) 正投影到投影面上,以得到与所述贴合面(41)数量相同的二维图,
分段曝光步骤 S4,将形成二维图步骤 S3中得到的二维图导入直写式光刻机中形成对应的曝光文件,通过光刻机将曝光文件分段曝光到原材料板上,每个曝光文件的曝光能量与该曝光文件对应的所述贴合面(41) 的高度成反比,
显影成型步骤 S5,使用化学药剂对经过曝光的原材料板上的光阻材料进行溶解,形成所述光阻层(3)上高低起伏的所述顶壁(4),光阻材料的溶解深度与曝光能量成正比,
多个所述贴合面(41)的高度分别为 h1、h2…hn,所述贴合面(41) 对应的曝光文件F1、F2…Fn 的曝光能量为 p1、p2…pn,n 为大于 2 的正整数,对应的焦深为 J1、J2、…Jn,所述贴合面(41) 对应的曝光文件为所述贴合面(41)形成的二维图导入光刻机后得到的曝光文件,当 h1h2…hn 时,以 P1 为基本能量,有 P2=(P1*h1)/h2,…, Pn=(P1*h1)/hn,以 J1 为基本焦深,有 J2=J1+(h1- h2),…,Jn= J1+(h1- hn),
分段曝光步骤 S4 的具体曝光方法是先在原材料板上以 p1的曝光能量和J1 的焦深对曝光文件 F1 进行曝光,接着在原材料板上以 p2 的曝光能量和 J2 的焦深对曝光文件F2 进行曝光,再依次曝光至曝光文件Fn,
完成分段曝光步骤后再对经过曝光的文件进行显影成型,使用化学药剂对经过曝光的原材料板上的光阻材料进行溶解,显影过程中光阻溶解的深度与之受的曝光能量成正比,曝光能量小的区域光阻溶解较少,曝光能量大的区域光阻溶解较多,所以对已经过 n 次分段重复曝光的原材料进行显影后会在所述光阻层(3) 上形成连续的、高低起伏的所述顶壁(4)。
2.如权利要求1中所述的一种掩模板,其特征在于:所述贴合面 (41) 的形状可以设置为矩形、环形、圆形或三角形。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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