[发明专利]一种基于分数阶忆阻器的混沌电路在审
申请号: | 201811108718.7 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109347616A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 杨宁宁;吴朝俊;徐诚;贾嵘 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H04L9/00 | 分类号: | H04L9/00 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 涂秀清 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 分数阶 混沌电路 忆阻器 混沌系统 电容 并联 吸引子 负阻 电感 动力学行为 闭合回路 电路仿真 电容电阻 数值仿真 依次连接 单涡卷 双涡卷 整数阶 电路 分析 研究 | ||
1.一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,其特征在于,包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容分数阶电容电阻R,所述分数阶电容的两端并联有分数阶电感Lλ,所述分数阶电容的两端并联有负阻G,所述负阻G的两端还并联有分数阶忆阻器Mλ。
2.根据权利要求1所述的一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,其特征在于,所述分数阶忆阻器Mλ包括二极管桥式电路,所述二极管桥式电路两端还并联有RL滤波器。
3.根据权利要求2所述的一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,其特征在于,所述二极管桥式电路包括正负端串联的二极管VD1、二极管VD2,和正负端串联的二极管VD3、二极管VD4,所述二极管VD1的负端与所述二极管VD3的负端连接,所述二极管VD2的正端与所述二极管VD4的正端连接。
4.根据权利要求3所述的一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,其特征在于,所述RL滤波器包括串联在一起的电阻Rm和分数阶电感所述电阻Rm与所述二极管VD4的正端连接,所述分数阶电感与所述二极管VD3的负端连接。
5.根据权利要求4所述的一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,其特征在于,所述分数阶电感和所述分数阶电感Lλ均包括一个电阻Rin,所述电阻Rin并联多个RL等效电路,每个所述RL等效电路均包括串联在一起的电阻Rn和电感Ln。
6.根据权利要求1所述的一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,其特征在于,所述负阻G包括加法器,所述加法器正端和输出端之间由电阻Ra1连接,所述加法器负端和输出端之间由电阻Ra2连接,所述加法器的负端连接一电阻Rb。
7.根据权利要求1所述的一种基于分数阶忆阻器的混沌电路,其特征在于,所述分数阶电容分数阶电容均包括一个电阻Rin,所述电阻Rin串联多个RC等效电路,每个所述RC等效电路均包括并联在一起的电容Cn和电阻Rn。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811108718.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。