[发明专利]氮化镓单结晶晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201811108987.3 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109411329A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 张海涛 | 申请（专利权）人： | 张海涛 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京智客联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11700 | 代理人： | 杨群 |
| 地址： | 214101 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 氮化镓单结晶 制造 基板 氮化镓结晶 热膨胀系数 结晶品质 结晶缺陷 晶格常数 特征体现 高品质 无位错 生长 铝镁 酸钪 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓单结晶晶片的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：通过运用HVPE二段生长法让氮化镓结晶在铝镁酸钪(ScAlMgO4)基板上生长。
2.如权利要求1所述的一种氮化镓单结晶晶片的制造方法，其特征在于：所述的二段生长法包括，第一阶段的氮化镓缓冲层为低温生长而成,第二阶段的氮化镓单结晶为高温生长而成。
3.如权利要求1所述的一种氮化镓单结晶晶片的制造方法，其特征在于：所述的二段生长法第一阶段为氮化铟镓(GaInN)层的生长,第二阶段为氮化镓单结晶的生长。
4.如权利要求3所述的一种氮化镓单结晶晶片的制造方法，其特征在于：所述的氮化铟镓的分子构成满足InxGa1-xN(x＝0.17)。
5.如权利要求1～4中任意一个权利要求所述的一种氮化镓单结晶晶片的制造方法，其特征在于：氮化镓单结晶通过劈开或切片得到成品。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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