[发明专利]存储器控制器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201811109086.6 申请日: 2018-09-21
公开(公告)号: CN110083304B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 洪性宽;吴翊诚;林志勋 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F13/16
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;赵赫
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制器 及其 操作方法
【说明书】:

本发明提供一种存储器控制器和操作存储器控制器的方法。该存储器控制器可包括:主机接口层,从主机接收对存储器装置的请求;闪存转换层,生成描述符,该描述符包括指示该请求是否是优先读取请求的标记;以及闪存接口层,根据标记暂停在优先读取请求之前输入的请求,存储在优先读取请求之前输入的请求,并执行优先读取请求。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月25日提交的申请号为10-2018-0009531的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置,且更特别地,涉及一种存储器控制器和操作存储器控制器的方法。

背景技术

通常,存储装置是在诸如计算机、智能手机或智能平板的主机装置的控制下存储数据的装置。根据所提供的用于存储数据的装置的类型,存储装置的示例可被分类为诸如硬盘驱动器(HDD)的在磁盘中存储数据的装置,以及诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的在半导体存储器,特别是非易失性存储器中存储数据的装置。

存储装置可包括存储数据的存储器装置,以及被配置成将数据存储在存储器装置中的存储器控制器。存储器装置可被分类为易失性存储器和非易失性存储器。非易失性存储器的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

发明内容

本公开的各个实施例涉及一种存储器控制器以及操作存储器控制器的方法,该存储器控制器被配置成暂停正在进行的正常命令的操作以便执行优先读取命令。

本公开的实施例可提供一种存储器控制器,包括:主机接口层,被配置成从主机接收对存储器装置的请求;闪存转换层,被配置成生成描述符,该描述符包括表示该请求是否是优先读取请求的标记;以及闪存接口层,被配置成根据标记暂停在优先读取请求之前输入的请求,存储在优先读取请求之前输入的请求,并执行优先读取请求。

本公开的实施例可提供一种存储器系统,包括:存储器装置;命令调度器,适于响应于请求,生成优先描述符和正常描述符;存储器操作控制单元,适于响应于在第一队列中排队的优先描述符,暂停正在进行的操作或保持针对第一队列中排在优先描述符之前的正常描述符的待处理的操作,并且将排在优先描述符之前的正常描述符从第一队列移动到第二队列中;以及恢复处理器,适于在对应于优先描述符的操作完成之后,根据第二队列中的正常描述符,控制存储器装置恢复被暂停的操作或被保持的操作。

附图说明

图1是示出根据本公开的实施例的包括存储器控制器的存储装置的示图。

图2是示出根据本公开的实施例的图1的存储器控制器的功能划分部件的示图。

图3是示出根据本公开的实施例的图2的暂停操作控制单元和闪速存储器控制器的部件的框图。

图4是示出根据本公开的实施例的图3的描述符队列的示图。

图5是示出根据本公开的实施例的参照图3描述的命令管理单元的操作的示图。

图6是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的操作的流程图。

图7是示出根据本公开的实施例的图1的存储器装置的配置的示图。

图8是示出根据本公开的实施例的图7的存储器单元阵列的示图。

图9是示出根据本公开的实施例的图8的存储块(BLK1)至(BLKz)中的任意一个存储块(BLKa)的电路图。

图10是示出根据本公开的实施例的图8的存储块(BLK1)至(BLKz)中的任意一个存储块(BLKb)的电路图。

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