[发明专利]一种TFT的制备方法

权利要求书

1.一种TFT的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底之上沉积缓冲层；

在所述缓冲层表面沉积形成半导体层，所述半导体层由金属氧化物材料形成；

依次利用黄光工艺和刻蚀工艺对所述半导体层进行处理形成图案化半导体层，在刻蚀工艺中的导体化工艺处理时采用NF₃和特定气体的环境中进行，以利用NF₃产生F*，所述特定气体为惰性气体或者N₂；

在所述图案化半导体层表面形成绝缘层，在所述绝缘层之上形成栅极层；

通过退火处理将导体化工艺产生的F*掺杂到图案化半导体层中，形成稳定的图案化半导体层；

依次制得栅极图案层和绝缘图案层、层间介质ILD层和源漏图案层。

2.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述依次制得栅极图案层和绝缘图案层、层间介质ILD层和源漏图案层，包括：

利用导体化工艺制得栅极图案层和绝缘图案层；

沉积形成ILD层；

在ILD层内制得源漏图案层。

3.根据权利要求2所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述沉积形成ILD层包括：

采用等离子增强化学气相沉积工艺沉积层间介质ILD层，并在所述图案化半导体层的两侧形成掺杂区，所述ILD层覆盖所述缓冲层、所述图案化半导体层、所述栅极图案层和所述绝缘图案层。

4.根据权利要求2所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述在ILD层内制得源漏图案层，包括：

对所述ILD层进行挖空；

在所述ILD层的挖空区域沉积形成源漏层，并利用黄光工艺和刻蚀工艺制得源漏图案层。

5.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底之上沉积缓冲层，包括：

采用化学气相沉积CVD工艺在所述衬底之上沉积缓冲层，材料为SIOx，沉积厚度2000～5500埃。

6.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述在所述缓冲层表面沉积形成半导体层，包括：

采用物理气相沉积PVD工艺在所述缓冲层表面沉积形成300～1000埃厚度的半导体层，在沉积后进行退火处理，退火温度为150～450℃。

7.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述在所述图案化半导体层表面形成绝缘层，包括：

通过等离子增强化学气相沉积工艺在所述图案化半导体层表面沉积形成绝缘层，所述绝缘层为SiOx，或者SiNx和SiOx的复合层，所述绝缘层沉积厚度为1500～4000埃。

8.根据权利要求7所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层之上形成栅极层，包括：

采用PVD工艺在所述绝缘层之上沉积形成栅极层，厚度为400～1500埃。

9.根据权利要求8所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述利用导体化工艺制得栅极图案层和绝缘图案层，包括：

依次利用黄光工艺和刻蚀工艺对所述绝缘层和所述栅极层进行处理，制得栅极图案层和绝缘图案层，所述刻蚀工艺中的导体化工艺在NF₃和所述特定气体的环境中进行。

10.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述通过退火处理将导体化工艺产生的F*掺杂到图案化半导体层中的退火温度为150～450℃。