[发明专利]一种灵敏放大器电路及非易失存储器

说明书

本发明实施例提供了一种灵敏放大器电路，该包括：第一输入端为灵敏放大器电路的基带基准电压输入端；第二输入端与第一N型场效应管单元的源端连接；第一N型场效应管单元的栅端与第一N型场效应管单元的漏端连接，并与第一P型场效应管单元的漏端、嵌位电压输出端连接；第一P型场效应管单元的栅端与运放输出端连接；第一P型场效应管单元的源端与电源端连接；第一N型场效应管单元的源端与电阻的一端连接；电阻的另一端与接地端连接。本发明实施例，第一P型场效应管单元的漏端有很强的驱动能力即使非易失存储器中需要多个灵敏放大器，也只需要共用一个上述灵敏放大器电路进行统一嵌位，因此，灵敏放大器总体的面积和功耗可以大大减少。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种灵敏放大器电路及非易失存储器。

背景技术

NOR FLASH是一种非易失存储器，NOR FLASH中通常需要设置灵敏放大器以实现数据读取等功能，NOR FLASH中设置的灵敏放大器的个数是根据NOR FLASH的读速度和面积总和决定的，灵敏放大器的个数越多则一次读的数据就越多。

现有技术中，灵敏放大器电路如图1所示，N4是参考存储器单元，N5是阵列中的存储器单元。该灵敏放大器的作用是要区分中N4和N5哪一个阈值大。如图1所示，N4和N5的栅端都是接同样的电压VPPI，漏端也可以偏置成类似的电压，如果N4和N5的阈值是一样的，那么N4和N5流过的电流应该也一样。假设现在N4的阈值大一些，那么流过N4的电流小一些，镜像到P4的电流也小于N5的电流，所以SAIN被拉低，相应的，如果N5的阈值大一些，则SAIN被拉高，因此通过检测SAIN的情况可以确定N4与N5阈值的大小关系。图1的晶体管N1 P1 N2P2都是为了给SENBL即是N5的漏端一个合适的电压，即N2的Vgs。

然而，发明人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：NOR FLASH中为了保证读速度，通常需要设置多个灵敏放大器，以NOR FLASH中需要128个如图1的灵敏放大器为例，那么N1 P1 N2 P2 N3 P4都是需要重复设置128个；一方面128个N1P1 N2 P2 N3的设置会导致灵敏放大器在NOR FLASH中占据的面积较大；另一方面，由于N1P1和N2 P2都有直流通路，128个这样的灵敏放大器功耗也非常大。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例的一种灵敏放大器电路，以减少灵敏放大器的功耗和面积。

根据本发明的第一方面，提供了一种灵敏放大器电路，包括：

运算放大器、第一P型场效应管单元、第一N型场效应管单元、电阻、基带基准电压输入端、嵌位电压输出端；

所述运算放大器包括：第一输入端、第二输入端、运放输出端；

其中，所述运算放大器的第一输入端为所述灵敏放大器电路的基带基准电压输入端，用于接收基带基准电压的输入；

所述运算放大器的第二输入端与所述第一N型场效应管单元的源端连接，用于通过所述运算放大器将所述第一N型场效应管单元的源端嵌位到所述基带基准电压；

所述第一N型场效应管单元的栅端与所述第一N型场效应管单元的漏端连接，并与所述第一P型场效应管单元的漏端、所述嵌位电压输出端连接；

所述第一P型场效应管单元的栅端与所述运算放大器的运放输出端连接；

所述第一P型场效应管单元的源端与电源端连接；

所述第一N型场效应管单元的源端与所述电阻的一端连接；

所述电阻的另一端与接地端连接。

优选地，所述电路还包括：至少一个阈值比较模块，所述阈值比较模块包括：第二P型场效应管单元、第三P型场效应管单元、第二N型场效应管单元、参考存储单元接入端、采样端、阵列存储单元接入端；