[发明专利]一种半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201811109792.0 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN110942987A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郗宁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上具有若干字线结构，相邻的所述字线结构之间具有开口，所述开口的底部暴露出所述衬底表面，且所述开口的侧壁具有侧墙；
对所述侧墙之间的衬底进行第一蚀刻，所述第一蚀刻为在第一温度下的气相蚀刻，同时于所述侧墙之间的衬底表面生成副产物；
对所述衬底在第二温度下进行脱副产物处理，以去除副产物；
其中所述第一温度低于所述第二温度。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述气相蚀刻采用非等离子体态的蚀刻气体，所述蚀刻气体包括氨气和氟化氢气体。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非等离子体态的气相蚀刻第一温度为大于等于20摄氏度且小于等于40摄氏度。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述副产物包括：六氟硅酸铵。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述脱副产物处理包括：在保护气体下，采用第二温度对所述衬底进行加热处理，所述第二温度为大于等于100摄氏度且小于等于200摄氏度，所述副产物在所述第二温度下升华。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护气体为氮气、氩气或氦气。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述副产物后，于所述开口内形成位线接触结构。
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述副产物后，于所述开口内形成电容接触结构。
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：
在所述开口侧壁和底部以及所述字线结构的顶部形成覆盖层；
对所述覆盖层进行回刻蚀，去除所述覆盖层位于所述字线结构顶部和所述开口底部的部分，从而于所述开口底部暴露出所述衬底表面，同时于所述开口的侧壁形成所述侧墙；
对所述开口底部暴露出所述衬底的表面部分进行氧化处理。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述字线结构包括：多晶硅、钨和氮化硅。
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述多晶硅在所述字线结构的最下层，所述氮化硅在所述字线结构的最上层，所述钨在所述多晶硅和所述氮化硅之间。
12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一蚀刻与所述脱副产物处理在不同腔室进行。
13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，非等离子体态的气相蚀刻与脱副产物处理在10mTorr到4000mTorr的气压下进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
