[发明专利]半导体晶圆处理设备及其顶针装置

权利要求书

1.一种半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，包括：

顶针通道；

顶针，位于所述顶针通道内，所述顶针的外周表面包括位于所述顶针顶端的第一环形区域和与所述第一环形区域相邻的第二环形区域，其中，所述第一环形区域和所述第二环形区域的导电性相反；

导电件，位于所述顶针通道内侧壁并抵接于所述顶针的外周表面。

2.根据权利要求1所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述第一环形区域为绝缘区，所述第二环形区域为导电区。

3.根据权利要求1所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述第一环形区域为导电区，所述第二环形区域为绝缘区。

4.根据权利要求2或3所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，还包括检测单元，所述检测单元电连接所述导电区和所述导电件。

5.根据权利要求4所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述检测单元包括电源、电阻和电压传感器；

所述电源与所述导电件相连，用于在所述导电件上施加电压；

所述电阻与所述导电件或与所述顶针的导电区串联；

所述电压传感器并联于所述电阻两端，用于检测所述电阻两端的电压，或

所述电压传感器并联于所述导电区与所述导电件两端，用于检测所述导电区与所述导电件之间的电压。

6.根据权利要求4所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述检测单元包括电源、电阻和电流传感器；

所述电源与所述导电件相连，用于在所述导电件上施加电压；

所述电阻与所述导电件或与所述顶针的导电区串联；

所述电流传感器与所述电阻串联，用于检测通过所述电阻的电流大小。

7.根据权利要求1所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述导电件为滚轮环，所述滚轮环安装于所述顶针通道的内侧壁中。

8.根据权利要求7所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述顶针的横截面为圆形、方形、或者具有与所述滚轮环突出于所述顶针通道内壁部分对应的凹陷。

9.根据权利要求2或3所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述顶针由金属制成，所述顶针上的绝缘区为镀在所述顶针上的绝缘层。

10.根据权利要求9所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅或氮化硅。

11.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，所述顶针包括三个以上非直线排列的顶针，以及与各个所述顶针对应的所述顶针通道。

12.根据权利要求1-3中任一项所述的半导体反应腔晶圆顶针装置，其特征在于，还包括用于固定所述顶针装置的基座。

13.一种半导体晶圆处理设备，其特征在于，包括：

反应腔体；

位于所述反应腔体的如权利要求1至12中任意一项所述的顶针装置。