[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：

S01，提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浅沟槽隔离结构，以隔离出多个间隔排布的有源区，所述有源区内形成有多个埋入式栅极组件；

S02，在所述半导体衬底上形成第一隔离层；

S03，在所述第一隔离层上形成图形化的第一掩膜层，所述第一掩膜层上形成有多个第一沟槽；

S04，在所述第一掩膜层上形成图形化的第二掩膜层，所述第二掩膜层上形成有多个第二沟槽，所述第二沟槽的方向与所述第一沟槽的方向相交；

S05，以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层作为掩膜，蚀刻所述第一隔离层，形成位线接触孔；

S06，在所述位线接触孔中填充导电材料形成位线接触节点，并在所述位线接触节点上方形成位线；

其中，所述位线接触节点具有第一宽度，所述位线具有第二宽度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S01还包括：在所述衬底上形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖除所述埋入式栅极组件以外的所述衬底表面。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S03包括如下步骤：

在所述第一隔离层上沉积第一掩膜层和图形化的第一光刻胶层，通过蚀刻将所述第一光刻胶层的图案转移到所述第一掩膜层，在所述第一掩膜层上形成垂直于所述位线方向的所述第一沟槽。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S04还包括如下步骤：

在所述第一掩膜层上方依次沉积第三掩膜层和图形化的第二光刻胶层；以及

在图形化的所述第二光刻胶层上沉积所述第二掩膜层，正面刻蚀所述第二掩膜层，并去除所述第二光刻胶，以形成所述第二沟槽。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤S05还包括如下步骤：

以所述第二掩膜层作为掩膜，蚀刻所述第三掩膜层，以将所述第二沟槽的图案转移至所述第三掩膜层；以及

以所述第一掩膜层和所述第三掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一隔离层，形成位线接触孔。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S05包括蚀刻所述第一隔离层、第二隔离层、半导体衬底及所述浅沟槽隔离结构，所述位线接触孔由所述第一隔离层和所述第二隔离层隔离。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述位线接触孔覆盖同一所述有源区内相邻的所述埋入式栅极组件之间的至少部分有源区和部分浅沟槽隔离结构。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S06，形成位线包括如下步骤：

在形成了所述位线接触节点的所述半导体衬底上依次沉积阻挡层、金属层、第三隔离层及图形化的第三光刻胶层；

将所述第三光刻胶层的图案转移至所述第三隔离层；以及

以所述第三隔离层作为掩膜，蚀刻所述金属层和阻挡层，形成所述位线。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述位线形状包括直线型。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一宽度大于所述第二宽度。

11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构至少包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有浅沟槽隔离结构，以隔离出多个间隔排布的有源区，所述有源区内具有多个埋入式栅极组件；

第一隔离层，所述第一隔离层位于所述半导体衬底的上方；

位线接触节点，所述位线接触节点位于同一所述有源区内相邻的所述埋入式栅极组件之间的至少部分有源区和部分浅沟槽隔离结构上，所述位线接触节点由所述第一隔离层隔离；

位线，所述位线位于所述位线接触节点上方，将相邻所述有源区之间的所述位线接触节点连接；

其中，所述位线接触节点具有第一宽度，所述位线具有第二宽度。