[发明专利]一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构及其加工方法

权利要求书

1.一种适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构，包括芯片本体，其特征在于，所述芯片本体上设置有面积相同、PN结体结构相同的第一光敏二极管和第二光敏二极管；还包括第一PMOS管和第二PMOS管；

其中，所述第一光敏二极管的受光照区域覆盖遮光件；

所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接于正极，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相接；

所述第一PMOS管的漏极与栅极相接、同时与第一光敏二极管的负极相接；

所述第二PMOS管的漏极与第二光敏二极管的负极相接、同时接入电流放大器的输入端，该电流放大器的输出端即为信号输出端；

所述第一光敏二极管的正极与所述第二光敏二极管的正极均接地。

2.如权利要求1所述的适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构，其特征在于，所述遮光件为金属层。

3.如权利要求1所述的适合微型表面贴装的光敏传感芯片结构，其特征在于，所述光敏二极管包括N型衬底，在所述N型衬底上设置有P阱层，所述P阱层的顶面间隔分布有P型基区和N+掺杂，在所述N+掺杂上分布有栅氧，且在预定的栅氧上设置了多晶；

所述多晶、栅氧、栅氧之下的N+掺杂、以及P型基区均被介质层覆盖，在所述介质层上覆盖有二氧化硅层；

所述介质层上对应于P型基区的位置开设有通孔，在所述二氧化硅层的下层对应于所述通孔的位置设置有金属铝；

在所述二氧化硅层的顶面、且正对多晶的上部具有开窗。

4.一种加工适合微型表面贴装的光敏二极管的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，取型号为N型，电阻率20～30ohm-cm，晶向<100>的硅材料形成N型衬底；

步骤二，在所述N型衬底上推进氧化层厚为200A～400A、结深为6um～8um的P阱；

步骤三，在所述P阱上间隔进行离子注入以形成P型基区，所述离子注入剂量为1E14，注入能量60KeV～80KeV；

步骤四，进行As离子注入以表面调节，所述离子注入能量为80KeV～200KeV，离子注入剂量为8E12～2E13；

步骤五，在所述P阱上间隔推进N+掺杂，其中，氧化层厚度为3000A～4000A，基区结深为4um～6um；

步骤六，在所述N+掺杂上形成栅氧，其中，氧化层厚度为150A～250A；

步骤七，在预定的栅氧上设置电阻率为20～30ohm/sq、厚度为2000A～4000A的多晶；

步骤八，形成厚度为100A～300A的介质层，并令所述介质层覆盖所述多晶、栅氧、栅氧之下的N+掺杂、以及P型基区；

步骤九，在所述介质层上对应于P型基区的位置光刻腐蚀出通孔；

步骤十，在所述介质层上、且对应于通孔的位置淀积8000A～12000A金属铝；

步骤十一，在所述介质层上淀积形成二氧化硅层，且所述二氧化硅层厚度为10000A～20000A；

步骤十二，在所述二氧化硅层的顶面、且正对多晶的上部具有开窗。