[发明专利]硅基AlGaN -HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪

权利要求书

1.一种硅基AlGaN -HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪，其特征在于：由直流电源、脉冲发生电路、输出控制电路、电流调节电路、热阻压降取样电路、热阻压降显示电路、加热时间显示电路、加热电流显示电路等8部分组成；

直流电源负责向脉冲发生电路提供12V的直流电，并向输出控制电路提供32V的直流电；脉冲发生电路产生100～300mS的单脉冲，送给输出控制电路、加热时间显示电路，同时产生3～4S的单脉冲，送给热阻压降取样电路、热阻压降显示电路、加热时间显示电路、加热电流显示电路，去启动这四部分电路的工作；输出控制电路与被测MOS管、电流调节电路这三者构成一个闭合的电流自动控制环路，能接受测试人员的指令，对被测MOS管生一个1～100A的单脉冲测试电流；热阻压降取样电路能从被测MOS管上取得热阻压降信号，经处理后，送给热阻压降显示电路将热阻压降测试数据显示出来；加热电流显示电路能从被测MOS管上取加热电流信号，经处理后，将加热电流测试数据显示出来。

2.根据权利要求1所述硅基AlGaN -HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪，其特征在于：所述直流电源，由双刀开关K11，电源变压器T11，直流电压表B11，5只储能电解电容C11、C12、C13、C14、C15，2只滤波电解电容C16、C17，3只整流二极管D11、D12、D13，稳压二极管D14，集成稳压器J11，泄放电阻R11，限流电阻R12，合计17只元器件组成；C11、C12、C13、C14、C15并联后与R11、B11再并联，其并联的正端接V2端口、负端接GND端口，交流市电二输入端口～通过K11接到T11的初级线圈，T11的次级线圈中间抽头接GND端口、其余二端分别接D12、D13的正极，D12、D13的负极相连后接V2端口，D11的正极接V2端口，D11的负极与C17的正极、J11的输入端、R12的一端连接在一起，C17的负极接GND端口，R12的另一端与D14的负极相连后接到V3端口，J11的中端接GND端口，J11的输出端与C16的正极相连后接到V1端口，C16的负极和D14的正极接GND端口。

3.根据权利要求1所述硅基AlGaN -HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪，其特征在于：所述脉冲发生电路，由脉宽调节可变电阻R21，8只电阻R22～R29，5只电容C21～C25，2只555时基电路J21、J22，测试开关K21，2只三极管S21、S22，二极管D21，合计20只元器件组成；J21的1脚接GND端口，J21的4、8脚相连接V1端口，J21的5、6脚之间接C21，J21的6、7脚联通后分别接C22、R21、R22的一端，J21的2脚接D21的正极、R24和C23的一端，J21的3脚接S21的发射极和接到B端口，C22的另一端接GND端口，R21的另一端串联R23后接到V1端口，R22另一端接到V1端口，D21的负极接到V1端口，R24的另一端接到V1端口，C23的另一端连接R25的一端、K21的一端，R25的另一端接到V1端口，K21的另一端接GND端口，S21的基极串联R26后接到V1端口，S21的集电极接到A端口；J22的1脚接GND端口，J22的4、8脚相连接V1端口，J22的5、6脚之间接C24，J22的6、7脚联通后分别接C25、R27的一端，J22的2脚与J21的2脚相接，J22的3脚串联R28后接到S22的基极，C25的另一端接GND端口，R27的另一端接到V1端口，S22的集电极接C端口、又串联R29后接到V1端口，S22的发射极接到GND端口。

4.根据权利要求1所述硅基AlGaN -HEMT/MOS功率器件热阻压降测试仪，其特征在于：所述输出控制电路，由6只电阻R31～R36，6只三极管S31～S36，合计12只元器件组成；功率三极管S33、S34、S35、S36的集电极连接在一起接到V2端口，S33、S34、S35、S36的基极连接在一起接到S32的发射极，S33、S34、S35、S36的发射极分别串联电阻R32、R33、R34、R35后连接在一起接到D端口，S31与S32的集电极连接到V2端口，S31的发射极接到S32的基极上，S31的基极接到A端口，又串联R31后接到V2端口，R36的二端分别接E端口和GND端口，被测MOS管的栅极接到V3端口、源极接到E端口、漏极接到D端口。