[发明专利]晶体管式电阻焊接电源系统及其控制方法有效
申请号: | 201811113007.9 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109262125B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 王强;孙培;曲东升 | 申请(专利权)人: | 常州铭赛机器人科技股份有限公司 |
主分类号: | B23K11/24 | 分类号: | B23K11/24;B23K11/36 |
代理公司: | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人: | 蔡兴兵 |
地址: | 213100 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 电阻 焊接 电源 系统 及其 控制 方法 | ||
1.一种晶体管式电阻焊接电源系统,其特征在于,包括:
主控模块,所述主控模块用于控制电容充电、输出放电、通信、IO端口以及故障诊断;
电容充电模块,所述电容充电模块与所述主控模块连接且用于对电容充电;
放电驱动模块,所述放电驱动模块与所述主控模块连接且用于输出电流;
通信模块,所述通信模块与所述主控模块连接,所述通信模块用于接收来自所述主控模块的数据输入并向所述主控模块发送数据输出;
输入输出模块,所述输入输出模块与所述主控模块连接,所述输入输出模块用于外部控制信号的输入以及系统信号的输出;
所述主控模块通过采集电路采集电容组的电压,所述主控模块在所述电容组的电压小于预设电压时通过PWM信号驱动所述电容充电模块对电容充电以使电容组的电压达到设定值;
还包括故障诊断模块,所述故障诊断模块包括:
温度检测模块,所述温度检测模块分别与所述电容充电模块和所述放电驱动模块连接以用于检测温度异常;
充电异常检测模块,所述充电异常检测模块与所述电容充电模块连接以用于检测充电电路异常;
放电异常检测模块,所述放电异常检测模块与所述放电驱动模块连接以用于检测放电电压和放电电流异常;
上下限监控模块,所述上下限监控模块与所述放电驱动模块连接以用于对放电过程中的电压和电流上下限进行监控;
所述主控模块通过采集电路采集放电电压和放电电流,所述主控模块通过PWM信号驱动所述放电驱动模块,并由PID控制算法实现放电电压的稳定输出。
2.如权利要求1所述的晶体管式电阻焊接电源系统,其特征在于,所述放电驱动模块包括:
MOSFET管组,所述MOSFET管组包括多个MOSFET管,多个所述MOSFET管并联连接以达到预设输出电流;
MOSFET管组驱动电路,所述MOSFET管组驱动电路采用半桥驱动芯片驱动所述MOSFET管组。
3.如权利要求1所述的晶体管式电阻焊接电源系统,其特征在于,所述通信模块包括:
RS232/RS485自适应电路,所述RS232/RS485自适应电路能够自适应选择RS232或RS485通信模式;
通信协议栈,所述通信协议栈由自定义协议栈和MODBUS标准协议栈组成。
4.如权利要求1所述的晶体管式电阻焊接电源系统,其特征在于,所述输入输出模块包括:
隔离输入、输出电路,所述隔离输入、输出电路由光耦组成以用于将CPU与外部电路电气隔离开;
滤波电路,所述滤波电路由限流电阻RL、限幅二极管D、滤波电容C及分流电阻RS组成,所述限流电阻RL、所述限幅二极管D、所述滤波电容C用于消除高频干扰信号,所述分流电阻RS用于在电流未达到一定值时输入光耦不会误动作。
5.一种根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管式电阻焊接电源系统的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:
充电流程:
当充电使能时,采集充电电压;
判断电压是否达到了设定值,如果未达到设定值则驱动电容充电模块对电容组进行充电,当达到了设定值则充电完成;
放电流程:
当放电使能时,采集放电电压及放电电流;
通过PID算法计算输出PWM值;
驱动放电驱动模块进行放电,当达到放电时间时,停止放电。
6.一种计算机存储介质,其特征在于,包括一条或多条计算机指令,所述一条或多条计算机指令在执行时实现如权利要求5所述的控制方法。
7.一种电子设备,包括存储器和处理器,其特征在于,
所述存储器用于存储一条或多条计算机指令;
所述处理器用于调用并执行所述一条或多条计算机指令,从而实现如权利要求5所述的控制方法。
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