[发明专利]层叠结构、磁阻效应元件、磁头、传感器、高频滤波器以及振荡器

权利要求书

1.一种层叠结构，其特征在于：

所述层叠结构是位于非磁性金属层上的层叠结构，

具备：

铁磁性层、以及

介于所述非磁性金属层与所述铁磁性层之间的中间层，

所述中间层包含以下述通式(1)所表示的NiAlX合金层，

Ni_γ1Al_γ2X_γ3(1)

其中，X表示选自Si、Sc、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Cu、Zr、Nb以及Ta中的1种以上的元素，在γ＝γ3/(γ1+γ2+γ3)的情况下，满足0＜γ＜0.5，

γ3的值沿着面内方向或者厚度方向变化。

2.如权利要求1所述的层叠结构，其特征在于：

在将L设定为选自Mn以及Fe中的1种以上的元素；

将M设定为选自Si、Al、Ga以及Ge中的1种以上的元素；

并将α以及β设定为正值的情况下，

所述铁磁性层包含下述通式(2)所表示的哈斯勒合金，

Co₂L_αM_β(2)。

3.如权利要求1或2所述的层叠结构，其特征在于：

γ3的值随着从所述铁磁性层沿着其厚度方向离开而减少。

4.如权利要求1或2所述的层叠结构，其特征在于：

所述非磁性金属层包含选自Ag、Cr、Al、Au以及NiAl中的1种以上的元素。

5.如权利要求1或2所述的层叠结构，其特征在于：

所述NiAlX合金层中的X是选自Si、Cr、Fe、Co以及Zr中的1种以上的元素。

6.如权利要求1或2所述的层叠结构，其特征在于：

在通式(1)中，满足0＜γ＜0.3。

7.如权利要求1或2所述的层叠结构，其特征在于：

在将所述NiAlX合金层的厚度设定为t1时，

满足0.2nm≤t1≤10nm。

8.如权利要求2所述的层叠结构，其特征在于：

在以所述通式(2)所表示的哈斯勒合金中，

α以及β满足以下关系式(2-1)、(2-2)、(2-3)：

0.7＜α＜1.6……(2-1)；

0.65＜β＜1.35……(2-2)；

2＜α+β＜2.6……(2-3)。

9.一种磁阻效应元件，其特征在于：

具备权利要求1～8中任一项所述的层叠结构。

10.一种磁头，其特征在于：

具备权利要求9所述的磁阻效应元件。

11.一种传感器，其特征在于：

具备权利要求9所述的磁阻效应元件。

12.一种高频滤波器，其特征在于：

具备权利要求9所述的磁阻效应元件。

13.一种振荡器，其特征在于：

具备权利要求9所述的磁阻效应元件。