[发明专利]形成导电接触结构至半导体装置的方法及所产生的结构

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包含：

形成第一下导电结构及第二下导电结构；

在该第一下导电结构及该第二下导电结构之上形成包含第一材料的一层绝缘材料；

在该层绝缘材料中形成接触蚀刻结构，其中，该接触蚀刻结构包含与该第一材料不同的第二材料，且其中，该接触蚀刻结构的至少一部分横向位在该第一下导电结构的至少一部分与该第二下导电结构的至少一部分之间；

形成邻近该接触蚀刻结构的第一侧的第一导电线路及第一导电接触，其中，该第一导电接触导电地耦合至该第一下导电结构；以及

形成邻近该接触蚀刻结构的第二侧的第二导电线路及第二导电接触，该接触蚀刻结构的该第二侧与该接触蚀刻结构的该第一侧相反，其中，该第二导电接触导电地耦合至该第二下导电结构，且其中，该第一导电线路与该第二导电线路之间的间隔大约等于该接触蚀刻结构的尺寸。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一导电线路的至少一部分位在该接触蚀刻结构的该第一侧上且与该接触蚀刻结构的该第一侧接触，以及该第二导电线路的至少一部分位在该接触蚀刻结构的该第二侧上且与该接触蚀刻结构的该第二侧接触。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该接触蚀刻结构具有大于该层绝缘材料的厚度的垂直高度。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该第一导电线路的一边与该第二导电线路的一边各自自对准于该接触蚀刻结构。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成该第一导电线路、该第二导电线路及该接触蚀刻结构，使得该第一导电线路的上表面、该第二导电线路的上表面及该接触蚀刻结构的上表面全都大约位于在半导体衬底之上的相同第一层级。

6.如权利要求5所述的方法，其中，该层绝缘材料具有位在该第一层级的上表面。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该接触蚀刻结构的一部分延伸进入形成于半导体衬底中的沟槽。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该接触蚀刻结构位在该第一下导电结构的整体与该第二下导电结构的整体之间。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该接触蚀刻结构为通过集成电路产品的第一栅极来形成的单一扩散阻断(SDB)结构，该第一导电接触为导电地耦合至邻近该SDB结构的第一侧的第一源极/漏极区的第一源极/漏极接触，以及该第二导电接触为导电地耦合至邻近该SDB结构的第二侧的第二源极/漏极区的第二源极/漏极接触。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该第一源极/漏极区用于第一晶体管且该第二源极/漏极区用于与该第一晶体管不同的第二晶体管。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该接触蚀刻结构的一部分位在该第一下导电结构及该第二下导电结构中的各者的表面上且与该表面接触。

12.如权利要求1所述的方法，其中，该接触蚀刻结构的底面位于在该第一下导电结构及该第二下导电结构之间的第二层绝缘材料上且与该第二层绝缘材料接触。

13.如权利要求1所述的方法，其中，该接触蚀刻结构为栅极接触蚀刻椿，该第一导电接触为导电地耦合至第一栅极的栅极结构的第一下栅极接触结构的第一栅极接触，以及该第二导电接触为导电地耦合至第二栅极的栅极结构的第二下栅极接触结构的第二栅极接触。