[发明专利]金属薄膜导线的制造方法

说明书

本公开涉及一种金属薄膜导线的制造方法。所制造的金属薄膜导线用于实现柔性基底上的电子器件内部和/或电子器件之间的电性连接，该方法包括：在基板上依次生成掩膜层和掩膜保护层；将掩膜版图形转移到掩膜保护层上，形成掩膜保护层图形；根据掩膜保护层图形，对掩膜层进行刻蚀处理，形成刻蚀后的掩膜层；将刻蚀后的掩膜层转印至柔性基底；以刻蚀后的掩膜层为掩膜，在柔性基底上生成金属薄膜导线。其中，刻蚀后的掩膜层的图形与金属薄膜导线的图形之间形状互补。本公开实施例所提供方法，适用范围广泛，可以在柔性基底上直接生成所需的金属薄膜导线，所生成的金属薄膜导线的精度高，能够满足对金属薄膜导线的使用需求。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属薄膜导线的制造方法。

背景技术

近年来，可延展柔性电子、光子技术发展迅速，受到了各领域研究者的广泛关注。其根本目标是制备出能够与人体组织良好集成的电子器件，用以监测人体组织的各种生理指标如体温、心电、脑电、血氧、血糖等生理信号，以及治疗如糖尿病，心律不齐、癫痫等各种疾病。相关技术中，将电子器件集成在柔性基底上，并通过柔性基底上的金属薄膜导线实现电子器件内部和电子器件之间的电性连接，以使电子器件与人体组织良好集成。相关技术中，通过转印的方式将金属薄膜导线转印到柔性基底上，但此种方式适用范围不够广泛，不能满足不同材料的柔性基底的需求。

发明内容

有鉴于此，本公开提出了一种金属薄膜导线的制造方法。

根据本公开的一方面，提供了一种金属薄膜导线的制造方法，所述金属薄膜导线用于实现柔性基底上的电子器件内部和/或电子器件之间的电性连接，所述方法包括：

在基板的一面依次生成掩膜层和掩膜保护层；

将掩膜版图形转移到所述掩膜保护层上，形成掩膜保护层图形；

根据所述掩膜保护层图形，对所述掩膜层进行刻蚀处理，形成刻蚀后的掩膜层；

将所述刻蚀后的掩膜层转印至柔性基底；

以所述刻蚀后的掩膜层为掩膜，在所述柔性基底上生成金属薄膜导线，

其中，所述刻蚀后的掩膜层的图形与所述金属薄膜导线的图形之间形状互补，所述金属薄膜导线的宽度为30μm～100μm。

对于上述方法，在一种可能的实现方式中，在基板上依次生成掩膜层和掩膜保护层之前，所述方法还包括：

在基板的一面生成牺牲层，以在所述牺牲层上依次生成所述掩膜层和所述掩膜保护层。

对于上述方法，在一种可能的实现方式中，将所述刻蚀后的掩膜层转印至柔性基底之前，所述方法还包括：

去除所述牺牲层，以使所述基板与所述刻蚀后的掩膜层分离。

对于上述方法，在一种可能的实现方式中，所述掩膜保护层为金属层，所述金属层的材料为铝、铜、铁中的任一种。

对于上述方法，在一种可能的实现方式中，将掩膜版图形转移到所述掩膜保护层上，形成掩膜保护层图形，包括：

在所述掩膜保护层上旋涂光刻胶；

将所述掩膜版图形转移到所述光刻胶上，形成光刻胶图形；

将所述光刻胶图形转移到所述掩膜保护层上，形成掩膜保护层图形。

对于上述方法，在一种可能的实现方式中，根据所述掩膜保护层图形，对所述掩膜层进行刻蚀处理，形成刻蚀后的掩膜层，包括：

以所述掩膜保护层图形为掩膜，对所述掩膜层进行刻蚀处理，形成刻蚀后的掩膜层；

去除所述掩膜保护层图形。