[发明专利]表膜在审
| 申请号： | 201811114381.0 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109581807A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 丸山公幸;藤川尊;中原辰典 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/64 | 分类号： | G03F1/64;G03F1/62;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表膜 框体 抗蚀图案 开口部 掩模粘合剂 垂直入射 矩形状 曝光光 相位差 波长 入射 支承 俯视 覆盖 | ||
1.一种表膜，其包括具备面积1000cm2以上的俯视矩形状的开口部的表膜用框体、被该表膜用框体的一端面以覆盖所述开口部的方式展开支承的表膜用膜、和所述表膜用框体的另一端面的掩模粘合剂，
在1cm×1cm的区域内包括对于所述表膜用膜垂直入射波长365nm的光的情况与以10°的角度入射的情况的相位差为0.5rad以下的区域。
2.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述表膜用膜的膜厚为1.0μm以上且4.0μm以下。
3.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述表膜用膜的膜厚为1.0μm以上且3.0μm以下。
4.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述表膜用膜的膜厚为1.7μm以上且3.0μm以下。
5.根据权利要求1所述的表膜，其中，所述表膜用膜的膜厚为2.0μm以上且3.0μm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的表膜，其中，自掩模剥离表膜时的剥离力为0.4kgf/cm2以上且6.0kgf/cm2以下。
7.根据权利要求6所述的表膜，其中，所述剥离力为0.4kgf/cm2以上且4.0kgf/cm2以下。
8.根据权利要求6或7所述的表膜，其中，所述剥离力为0.4kgf/cm2以上且3.0kgf/cm2以下。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的表膜，其中，所述剥离力为0.4kgf/cm2以上且2.0kgf/cm2以下。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的表膜，其中，表膜用膜的张力为2.5gf/mm以上且7.0gf/mm以下。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的表膜，其中，表膜用膜的张力为3.0gf/mm以上且7.0gf/mm以下。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的表膜，其中，表膜用膜的张力为3.5gf/mm以上且7.0gf/mm以下。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的表膜，其中，所述表膜用膜的波长365nm时的折射率不足1.40。
14.根据权利要求1～12中任一项所述的表膜，其中，所述表膜用膜的波长365nm时的折射率为1.40以上。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
