[发明专利]集成电路中栅极氧化层的TDDB测试装置有效
| 申请号： | 201811115214.8 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109324277B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮;韩坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 栅极 氧化 tddb 测试 装置 | ||
1.一种集成电路中栅极氧化层的TDDB测试装置，包括：
电源，用于施加测试电场；
连接端子，用于连接所述电源和所述栅极氧化层；
控制设备，连接所述电源，所述控制设备被配置为：
获得对所述栅极氧化层进行斜坡电压测试所确定的击穿场强；
在所述测试电场下对所述栅极氧化层进行TDDB测试，获得击穿时间；
根据所述斜坡电压测试的斜坡率、所述击穿场强、所述击穿时间以及所述测试电场场强确定电场加速因子；以及
使用所述电场加速因子计算所述栅极氧化层的寿命；
其中，所述控制设备根据所述斜坡电压测试的斜坡率、所述击穿场强、所述击穿时间以及所述测试电场场强确定电场加速因子的公式为：
TF＝γ·R·exp[γ(Ebd-E)]，
其中TF为所述击穿时间，γ为所述电场加速因子，R为所述斜坡率，Ebd为所述击穿场强，E为所述测试电场场强。
2.如权利要求1所述的TDDB测试装置，其特征在于，所述击穿场强为根据击穿场强分布确定的平均击穿场强。
3.如权利要求1所述的TDDB测试装置，其特征在于，所述控制设备配置为获得在所述测试电场下的击穿时间分布，且根据所述击穿时间分布确定所述击穿时间。
4.如权利要求3所述的TDDB测试装置，其特征在于，所述控制设备配置为在单个测试电场下进行所述TDDB测试，获得单个测试电场场强下的击穿时间分布。
5.如权利要求3所述的TDDB测试装置，其特征在于，所述击穿时间分布为韦伯分布。
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