[发明专利]一种量子点白光二极管

权利要求书

1.一种量子点白光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的发光层，其特征在于，所述发光层包括层叠设置的蓝光有机荧光层和量子点发光层，所述蓝光有机荧光层材料包括由第一p型半导体材料和第一n型半导体材料混合形成的第一主体材料以及掺杂在所述第一主体材料中的蓝光有机荧光材料，所述第一主体材料的单线态激子能量大于所述蓝光有机荧光材料的单线态激子能量，且所述第一主体材料的三线态激子能量大于所述蓝光有机荧光材料的三线态激子能量。

2.根据权利要求1所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光材料的掺杂浓度为0.5-3％。

3.根据权利要求1所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光层的厚度为10-40nm。

4.根据权利要求1所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述第一p型半导体材料为TAPC、mCP和TCTA中的一种或多种；

和/或所述第一n型半导体材料为TPBi、Bepp2、BTPS和TmPyPb中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光材料为4P-NPD、Cz-2pbb、POTA和DADBT中的一种或多种。

6.根据权利要求1至5任一项所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述阴极和发光层之间还设置有电子传输层，所述蓝光有机荧光层靠近所述电子传输层一侧设置，所述电子传输层的材料与所述蓝光有机荧光层材料中的第一n型半导体材料中的至少一种相同。

7.根据权利要求1至5任一项所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述阳极和发光层之间还设置有空穴传输层，所述蓝光有机荧光层靠近所述空穴传输层一侧设置，所述空穴传输层的材料与所述蓝光有机荧光层材料中的第一p型半导体材料中的至少一种相同。

8.根据权利要求1至5任一项所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料为量子点。

9.根据权利要求1至5任一项所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料包括量子点和第二主体材料，所述第二主体材料的单线态激子能量和三线态激子能量均大于所述量子点的激子能量。

10.根据权利要求9所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光层靠近阳极一侧设置，所述量子点层靠近阴极一侧设置，所述第二主体材料选自双极性分子、第二n型半导体材料、第二p型半导体材料以及由第二n型半导体材料和第二p型半导体材料组成的混合材料中的一种。

11.根据权利要求10所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述第二主体材料为由第二n型半导体材料和第二p型半导体材料组成的混合材料。

12.根据权利要求10所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述第二主体材料为双极性分子。

13.根据权利要求9所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光层靠近阴极一侧设置，所述量子点发光层靠近阳极一侧设置，所述第二主体材料选自双极性分子、第二n型半导体材料、第二p型半导体材料以及由第二n型半导体材料和第二p型半导体材料组成的混合材料中的一种。

14.根据权利要求13所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述第二主体材料为由第二n型半导体材料和第二p型半导体材料组成的混合材料。

15.根据权利要求13所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述第二主体材料为双极性分子。