[发明专利]一种量子点白光二极管

权利要求书

1.一种量子点白光二极管，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的发光层，其特征在于，所述发光层包括层叠设置的蓝光有机荧光层、间隔层以及量子点发光层，所述蓝光有机荧光层靠近阴极一侧设置，所述量子点发光层靠近阳极一侧设置，所述间隔层设置在所述蓝光有机荧光层和所述量子点发光层之间，所述间隔层材料的三线态激子能量大于蓝光有机荧光层中蓝光有机荧光材料的三线态激子能量，且所述间隔层材料的三线态激子能量大于量子点发光层中量子点的激子能量；

所述间隔层材料为由第一n型半导体材料和第一p型半导体材料组成的混合材料，

或者，所述间隔层材料为同时具有电子和空穴迁移能力的第一双极性分子。

2.根据权利要求1所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述间隔层的厚度为3-10nm。

3.根据权利要求1所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述第一双极性分子为CBP和NPB中的一种或两种；

或者，所述第一n型半导体材料为TPBi、Bepp2、BTPS和TmPyPb中的一种或多种；

或者，所述第一p型半导体材料为TAPC、mCP和TCTA中的一种或多种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光层材料为蓝光有机荧光材料。

5.根据权利要求4所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光层的厚度为5-30nm；和/或所述蓝光有机荧光材料为4P-NPD、Cz-2pbb、POTA和DADBT中的一种或多种。

6.根据权利要求1-3任一项所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光层材料包括第一主体材料以及掺杂在所述第一主体材料中的蓝光有机荧光材料，所述第一主体材料的单线态激子能量大于所述蓝光有机荧光材料的单线态激子能量，且所述第一主体材料的三线态激子能量大于所述蓝光有机荧光材料的三线态激子能量。

7.根据权利要求6所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述蓝光有机荧光层的厚度为10-50nm；和/或所述蓝光有机荧光材料为4P-NPD、Cz-2pbb、POTA和DADBT中的一种或多种。

8.根据权利要求6所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述量子点发光层材料包括量子点和第二主体材料，其中，所述第二主体材料的单线态激子能量和三线态激子能量均大于所述量子点的激子能量。

9.根据权利要求8所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述第一主体材料选自第二双极性材料、第二n型半导体材料以及由第二n型半导体材料和第二p型半导体材料组成的混合材料中的一种，所述第二主体材料选自第三双极性材料、第三p型半导体材料以及由第三n型半导体材料和第三p型半导体材料组成的混合材料中的一种。

10.根据权利要求9所述的量子点白光二极管，其特征在于，所述第一主体材料为第二n型半导体材料，所述第二主体材料为第三p型半导体材料；

或者，所述第一主体材料为由第二n型半导体材料和第二p型半导体材料组成的混合材料，所述第二主体材料为第三p型半导体材料；

或者，所述第一主体材料为第二n型半导体材料，所述第二主体材料为由第三n型半导体材料和第三p型半导体材料组成的混合材料；

或者，所述第一主体材料为第二双极性分子，所述第二主体材料为第三双极性分子；

或者，所述第一主体材料为由第二n型半导体材料和第二p型半导体材料组成的混合材料；所述第二主体材料为由第三n型半导体材料和第三p型半导体材料组成的混合材料。