[发明专利]氮杂环化合物、显示面板以及显示装置

说明书

本发明提供一种氮杂环化合物，具有化学式I所示的结构；其中，z为1或2，m、n分别为1或2，p、q分别为0、1或2；X₁‑X₆各自独立地选自N或C，且至少一个为N；R₁、R₂和R₃各自独立地表示C1‑C10的直链或支链烷基、取代或未取代的芳香基、稠合芳基、芳杂环基团、稠合芳杂环基团中任意一种，R₁和R₂还可以表示单键；Ar₁和Ar₂各自独立地选自取代或未取代的芳香基、稠合芳基、芳杂环基团、稠合芳杂环基团中任意一种。本发明的氮杂环化合物具有较高的折射率，当其用作OLED器件的CPL盖帽层时，可以提高顶发射OLED的光取出效率和发光效率(尤其是对蓝光像素最有效)，可以缓解OLED器件发光的角度依存性(对红/绿光像素最有效)。

技术领域

本发明涉及有机电致发光材料技术领域，具体地涉及一种氮杂环化合物以及包含该氮杂环化合物的显示面板以及显示装置。

背景技术

OLED经过数十年的发展，已经取得了长足的进步。虽然其内量子效率已经接近100％，但外量子效率却仅有大约20％左右。大部分的光由于基板模式损失、表面等离子损失与波导效应等因素被限制在发光器件内部，导致了大量能量损失。

顶发射器件中，通常通过在半透明金属电极Al上蒸镀一层有机盖帽层(CappingLayer，CPL)，调节光学干涉距离，抑制外光反射，抑制表面等离子体能移动引起的消光，从而提高光的取出效率，提升发光效率。现有的CPL材料多采用芳香胺衍生物、磷氧基衍生物和喹啉酮衍生物等，其兼具空穴传输和电子传输功能，一定程度上提高了光的取出效率。然而现有的CPL材料的折射率一般在1.9以下，并不能满足高折射率的要求；具有高折光率的特定结构的胺衍生物及使用符合特定参数的材料改善了光取出效率，但是没有解决发光效率的问题(特别是对于蓝光发光元件)。现有技术的材料为了使分子的密度增加，并达到高的热稳定性，分子结构设计的很大并且疏松，分子间不能达到紧密的堆积，从而在蒸镀时造成分子凝胶孔洞太多，覆盖紧密性不良。因此，需要开发一种新型的CPL材料，从而提升OLED器件的性能。

发明内容

本发明的一方面提供一系列以氮杂环结构为中心骨架的新型氮杂环有机化合物。

本发明的一方面提供了一种氮杂环化合物，所述氮杂环化合物具有化学式Ⅰ所示的结构：

其中，z为1或2，m、n分别为1或2，p、q分别为0，1或2；

X₁-X₆各自独立地选自N原子或者C原子，且X₁-X₆中至少一个为N原子；

R₁和R₂各自独立地表示单键、C1-C10的直链或支链烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基，取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的C4-C40芳杂环基团中任意一种，其中所述芳杂环选自吡啶、噻吩、噻唑、噻二唑、呋喃、噁唑、噁二唑；

R₃表示C1-C10的直链或支链烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、二甲基芴基、螺芴基、取代或未取代的苊烯基、取代或未取代的芳杂环中任意一种，其中所述芳杂环选自吡啶、噻吩、噻唑、噻二唑、呋喃、噁唑、噁二唑；