[发明专利]重新布线结构及其制造方法和半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种重新布线结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具有第一焊盘的衬底；

形成第一介电质层于所述衬底上，所述第一介电质层暴露出所述第一焊盘的部分或全部的顶表面；

形成重布线金属层于所述第一焊盘的顶表面上，所述重布线金属层还延伸至所述第一介电质层的部分顶表面上；以及，

形成第二介电质层于所述重布线金属层和所述第一介电质层上，所述第二介电质层具有分别暴露出所述重布线金属层不同位置的顶表面的多个开口，每个开口底部暴露出的所述重布线金属层作为一个第二焊盘，所述重布线金属层与所述第一焊盘电接触，以使得所述第二焊盘与所述第一焊盘电连接；并且，与每个所述第一焊盘电连接的多个所述第二焊盘中，至少一个所述第二焊盘位于半导体器件的外围，且位于所述半导体器件的外围的所有的所述第二焊盘与所述半导体器件的中心之间的距离相等，每个位于靠近所述半导体器件的中心位置的所述第二焊盘通过所述重布线金属层中的互连线与位于所述半导体器件的外围的相应的所述第二焊盘连接，以使得所有的所述第二焊盘具有相同的时钟反应，所述半导体器件的中心位置形成有所述半导体器件的主要电路。

2.如权利要求1所述的重新布线结构的制造方法，其特征在于，所述重布线金属层中的每条互连线所连接的所述第二焊盘的数量大于等于2。

3.如权利要求1所述的重新布线结构的制造方法，其特征在于，形成所述第一介电质层的步骤包括：首先，沉积所述第一介电质层于所述衬底上，且沉积的所述第一介电质层将所述第一焊盘完全掩埋在内；然后，通过化学机械研磨将所述第一介电质层的顶表面平坦化；最后，刻蚀所述第一介电质层位于所述第一焊盘上的部分，以将所述第一焊盘的部分或全部的顶表面暴露出来。

4.如权利要求1或2所述的重新布线结构的制造方法，其特征在于，形成所述重布线金属层的步骤包括：首先，形成一金属层于所述第一焊盘和所述第一介电质层上，所述金属层将所述第一介电质层和所述第一焊盘完全掩埋在内；然后，通过光刻和刻蚀将所述金属层图形化，以形成所述重布线金属层。

5.如权利要求1所述的重新布线结构的制造方法，其特征在于，形成所述第二介电质层的步骤包括：首先，沉积第二介电质层于所述重布线金属层和所述第一介电质层上；然后，刻蚀所述第二介电质层位于所述重布线金属层的不同位置上的部分，以形成分别暴露出所述重布线金属层不同位置的顶表面的多个开口。

6.一种重新布线结构，其特征在于，包括：

第一介电质层，位于一具有第一焊盘的衬底上，所述第一介电质层暴露出所述第一焊盘的部分或全部的顶表面；

重布线金属层，位于所述第一焊盘的顶表面上，所述重布线金属层还延伸至所述第一介电质层的部分顶表面上；以及，

第二介电质层，位于所述重布线金属层和所述第一介电质层上，所述第二介电质层具有分别暴露出所述重布线金属层不同位置的顶表面的多个开口，每个开口底部暴露出的所述重布线金属层作为一个第二焊盘，所述重布线金属层与所述第一焊盘电接触，以使得所述第二焊盘与所述第一焊盘电连接；并且，与每个所述第一焊盘电连接的多个所述第二焊盘中，至少一个所述第二焊盘位于半导体器件的外围，且位于所述半导体器件的外围的所有的所述第二焊盘与所述半导体器件的中心之间的距离相等，每个位于靠近所述半导体器件的中心位置的所述第二焊盘通过所述重布线金属层中的互连线与位于所述半导体器件的外围的相应的所述第二焊盘连接，以使得所有的所述第二焊盘具有相同的时钟反应，所述半导体器件的中心位置形成有所述半导体器件的主要电路。

7.如权利要求6所述的重新布线结构，其特征在于，所述重布线金属层中的每条互连线所连接的所述第二焊盘的数量大于等于2。

8.如权利要求6或7中所述的重新布线结构，其特征在于，所述重布线金属层的材质包括铝、金、银、镍、钛中的任一种或多种；所述第一介电质层和所述第二介电质层的材质包括二氧化硅、氮化硅、正硅酸乙酯、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃中的任一种或多种。