[发明专利]多晶硅层的制备方法、晶化处理系统、晶体管及显示装置

权利要求书

1.一种多晶硅层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底基板上方形成非晶硅层；所述非晶硅层具有远离所述衬底基板一侧的上表面，所述上表面包括：待掺杂区域；

至少使所述待掺杂区域与离子注入化合物相接触；

对所述待掺杂区域进行激光照射，以使所述离子注入化合物中的预设离子注入进所述待掺杂区域中，并使所述非晶硅层对应于所述待掺杂区域的部分转化为多晶硅。

2.根据权利要求1所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，所述上表面还包括：非掺杂区域；

所述制备方法还包括：

使所述非晶硅层对应于所述非掺杂区域的部分暴露在空气中或浸泡在水中；

对所述非掺杂区域进行激光照射，以使所述非晶硅层对应于所述非掺杂区域的部分转变为多晶硅。

3.根据权利要求1所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，

所述至少使所述待掺杂区域与离子注入化合物相接触，包括：

将所述非晶硅层浸泡在含有离子注入化合物的溶液中；其中，所述溶液中的所述离子注入化合物的浓度小于或等于1mol/L；

所述对所述待掺杂区域进行激光照射的步骤中，激光的能量密度小于或等于1000cm²/MJ。

4.根据权利要求3所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，所述对所述待掺杂区域进行激光照射的步骤在密封腔室内进行。

5.根据权利要求3所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，

所述溶液包括：磷酸溶液或硼酸溶液；

所述预设离子包括：磷离子或硼离子。

6.根据权利要求1或2所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，

所述至少使所述待掺杂区域与离子注入化合物相接触，包括：

至少在所述待掺杂区域内涂覆离子注入化合物，涂覆的厚度小于或等于1μm；

所述对所述待掺杂区域进行激光照射的步骤中，激光的能量小于或等于1000cm²/MJ。

7.根据权利要求6所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，在所述上表面还包括有所述非掺杂区域的情况下，

所述至少在所述待掺杂区域内涂覆离子注入化合物的步骤包括：

采用喷墨打印的方法，仅在所述待掺杂区域内涂覆离子注入化合物；

或者，在整个所述上表面内涂覆离子注入化合物。

8.根据权利要求6所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，

所述离子注入化合物包括：磷化合物或硼酸化合物；其中，所述磷化合物包括：Si₃P₄和/或磷氧化合物；

所述预设离子包括：磷离子或硼离子。

9.根据权利要求1所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，所述待掺杂区域包括：重掺杂区域和轻掺杂区域；

所述对所述待掺杂区域进行激光照射的步骤包括：

通过调节激光的能量密度，对所述重掺杂区域进行第一能量密度的激光照射、对所述轻掺杂区域进行第二能量密度的激光照射，其中，所述第一能量密度大于所述第二能量密度，以使注入进所述重掺杂区域中的所述预设离子的注入量大于注入进所述轻掺杂区域中的所述预设离子的注入量。

10.一种晶化处理系统，其特征在于，如权利要求1至9任一项所述的多晶硅层的制备方法通过所述晶化处理系统进行；所述晶化处理系统包括：

激光发生装置，所述激光发生装置用于对所述非晶硅层上接触有所述离子注入化合物的所述待掺杂区域进行激光照射。

11.根据权利要求10所述的晶化处理系统，其特征在于，所述激光发生装置包括具有微透镜阵列的准分子激光装置。