[发明专利]包含金属纳米线的透明导电性粘接剂膜及其制造方法

权利要求书

1.一种透明导电性粘接剂膜的制造方法，其包括：

在基材上形成分离层的分离层形成步骤；

在所述分离层上形成包含金属纳米线的导电性图案部的导电性图案部形成步骤；及

将所述包含金属纳米线的导电性图案部转印至具有粘接力的透明介电体层的至少一面的导电性图案部转印步骤，

所述导电性图案部与所述分离层间的结合力大于所述基材与所述分离层间的结合力，

所述透明介电体层为光学透明粘合剂，

所述透明介电体层的模量为0.10～5MPa，

所述透明介电体层的厚度恢复力为90～100％/sec。

2.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，进一步包括将所述基材剥离而分离的基材分离步骤。

3.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述透明介电体层的厚度为10～150um。

4.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述透明介电体层的介电常数为1～15。

5.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述金属纳米线包含银(Ag)或铜(Cu)。

6.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述金属纳米线的直径为1～100nm。

7.根据权利要求1所述的透明导电性粘接剂膜的制造方法，其特征在于，所述金属纳米线的长度为1～100um。

8.一种透明导电性粘接剂膜，其包含：

具有粘接力的透明介电体层；和

粘接于所述透明介电体层的两面中的至少一面的包含金属纳米线的导电性图案部，

形成于所述导电性图案部的两面中的与所述透明介电体层粘接的一面的相反面的分离层，

所述导电性图案部与所述分离层间的结合力大于基材与所述分离层间的结合力，

所述透明介电体层为光学透明粘合剂，

所述透明介电体层的模量为0.10～5MPa，

所述透明介电体层的厚度恢复力为90～100％/sec。

9.根据权利要求8所述的透明导电性粘接剂膜，其特征在于，所述透明介电体层的两面中，第一面粘接有第一导电性图案部，

所述第一导电性图案部上形成有第一分离层，

所述第一分离层上形成有第一基材。

10.根据权利要求9所述的透明导电性粘接剂膜，其特征在于，所述透明介电体层的两面中，作为所述第一面的相反面的第二面粘接有第二导电性图案部，

所述第二导电性图案部上形成有第二分离层，

所述第二分离层上形成有第二基材。

11.根据权利要求8所述的透明导电性粘接剂膜，其特征在于，所述透明介电体层的厚度为10～150um。

12.根据权利要求8所述的透明导电性粘接剂膜，其特征在于，所述透明介电体层的介电常数为1～15。

13.根据权利要求8所述的透明导电性粘接剂膜，其特征在于，所述金属纳米线包含银(Ag)或铜(Cu)。

14.根据权利要求8所述的透明导电性粘接剂膜，其特征在于，所述金属纳米线的直径为1～100nm。

15.根据权利要求8所述的透明导电性粘接剂膜，其特征在于，所述金属纳米线的长度为1～100um。