[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有若干沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构定义出有源区；以及，

栅电极，形成于所述有源区上并延伸至所述沟槽隔离结构，其中，一个所述有源区对应两个所述栅电极，且所述栅电极在所述源区及所述沟槽隔离结构的交界处具有横向凸出的凸出部，所述凸出部的横向凸出方向垂直于所述栅电极的延伸方向，以使所述栅电极在所述交界处的横向宽度尺寸大于所述栅电极位于所述有源区中间区域的横向宽度尺寸。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述有源区中形成有两个源区及位于两个所述源区之间的漏区，并且所述源区和所述漏区在平行于所述栅电极的延伸方向上均扩展至所述有源区的边界，两个所述栅电极位于所述源区及所述漏区之间以构成两个晶体管，所述晶体管在所述有源区靠近所述交界处的沟道长度大于所述晶体管在所述有源区中间区域的沟道长度。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，两个所述栅电极分别位于所述漏区的两侧，并且所述凸出部从所述栅电极背离所述漏区的一侧横向凸出。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述凸出部在所述交界处还分别往所述有源区中和所述沟槽隔离中延伸，以使所述凸出部的部分位于所述有源区上，另一部分位于所述沟槽隔离结构上。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，一个所述有源区对应的两个所述栅电极之间的间隔尺寸小于等于300nm。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述凸出部在平行于所述栅电极的延伸方向上的宽度尺寸介于70nm-140nm。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述凸出部的横向宽度尺寸介于100nm-200nm。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅电极对应同一有源区的两个凸出部在平行于所述栅电极的延伸方向上的宽度尺寸不相等。

9.如权利要求1-8中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件应用于集成电路存储器中，所述集成电路存储器包括若干晶体管。