[发明专利]具有低熔融温度的聚合物主体的PPTC器件在审
| 申请号： | 201811119627.3 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109545484A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 陈建华;曾俊昆 | 申请（专利权）人： | 力特有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C1/14;H01H85/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙纪泉 |
| 地址： | 美国伊利诺伊州芝加哥希*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚合物正温度系数 熔断器装置 聚合物基质 聚合物主体 跳闸 导电填料 第二电极 第一电极 熔融 | ||
1.一种熔断器装置，包括：
聚合物正温度系数主体；
第一电极，所述第一电极布置在聚合物正温度系数主体的第一侧上；和
第二电极，所述第二电极布置在聚合物正温度系数主体的第二侧上；
其中，所述聚合物正温度系数主体包含聚合物基质和导电填料，
其中，所述聚合物基质包含具有低于150℃的熔融温度的聚合物。
2.根据权利要求1所述的熔断器装置，其中，所述聚合物基质包含具有低于150℃的熔融温度的含氟聚合物。
3.根据权利要求2所述的熔断器装置，其中，所述聚合物基质包含一种或多种聚合物，其中所述一种或多种聚合物构成所述聚合物正温度系数主体的35％至75％的体积分数，其中所述导电填料构成聚合物正温度系数主体的25％至65％的体积分数，并且其中导电填料的体积电阻率小于500μΩ-cm。
4.根据权利要求2所述的熔断器装置，其中，所述聚合物正温度系数主体在25℃下的维持电流密度为0.05A/mm2至0.4A/mm2。
5.根据权利要求1所述的熔断器装置，其中，所述聚合物基质包含结晶聚烯烃聚合物、聚烯烃共聚物、或结晶聚烯烃聚合物和聚烯烃共聚物的组合，所述聚合物基质具有低于120℃的熔点。
6.根据权利要求5所述的熔断器装置，其中，所述聚合物基质构成所述聚合物正温度系数主体的35％至75％的体积分数，其中所述导电填料构成所述聚合物正温度系数主体的25％至65％的体积分数，并且其中所述导电填料的体积电阻率小于500μΩ-cm。
7.根据权利要求5所述的熔断器装置，其中，所述聚合物正温度系数主体在25℃下的维持电流密度为0.05A/mm2至0.4A/mm2。
8.根据权利要求1所述的熔断器装置，包括单层表面安装器件。
9.根据权利要求1所述的熔断器装置，包括双层表面安装器件。
10.一种熔断器装置，包括：
聚合物正温度系数主体；
第一电极，所述第一电极布置在聚合物正温度系数主体的第一侧上；
第二电极，所述第二电极布置在聚合物正温度系数主体的第二侧上；和
其中，所述聚合物正温度系数主体包含聚合物基质和导电填料，
其中，所述聚合物基质包含具有范围在90℃和110℃之间的熔融温度的低温聚偏二氟乙烯材料。
11.根据权利要求10所述的熔断器装置，其中，所述聚合物正温度系数主体在25℃下的维持电流密度为0.05A/mm2至0.4A/mm2。
12.根据权利要求10所述的熔断器装置，其中所述聚合物基质构成所述聚合物正温度系数主体的35％至75％的体积分数，其中所述导电填料构成所述聚合物正温度系数主体的25％至65％的体积分数，并且其中所述导电填料的体积电阻率小于500μΩ-cm。
13.根据权利要求10所述的熔断器装置，具有120℃或更低的跳闸温度。
14.根据权利要求10所述的熔断器装置，包括碳化钨填料。
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