[发明专利]一种有机发光显示基板、显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201811119672.9 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109103236B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 张粲;王灿;陈小川 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 显示装置 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种有机发光显示基板、显示装置及其制作方法,以解决现有技术的OLED作为微显示器应用时,存在较难获得较高色域以及较高亮度的问题。所述有机发光显示基板,包括:设置在衬底基板之上的反射层、设置在所述反射层之上的阻挡层,所述阻挡层包括间隔各像素单元的挡墙,每一由所述挡墙界定的所述像素单元内,在所述反射层远离所述衬底基板一侧上依次设置有透明导电层、第一电极、发光层、以及半透半反的第二电极;在垂直于所述衬底基板的方向上,不同出光色像素单元的所述透明导电层厚度不同,以使每一所述像素单元发出的光在所述反射层与所述第二电极之间传输满足强微腔效应。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种有机发光显示基板、显示装置及其制作方法。
背景技术
有机发光微显示器(Micro OLED)应用非常广泛,其中,硅基OLED微显示器拥有非常优秀的显示特性。其亮度高、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快、功耗低,具有非常优秀的用户体验,且其为一种全固态型器件,抗震性能好,工作温度范围宽(-40℃~85℃),适合于军事和特殊应用;其亦属于自发光器件,不需要背光源,视角范围大,厚度薄,有利于减小系统体积,尤其适用于近眼显示系统。
对应未来增强现实(Augmented Reality,AR)显示技术,其显示屏幕要求最核心的产品指标是亮度和PPI,因为AR产品在不同的工作环境和场景下需要调节自身屏体亮度,来实现适宜人眼的感官体验,尤其是在户外直对太阳这种模式下,需要我们提高器件亮度。
而现有技术中,OLED作为微显示器应用时,由于高精细掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)的限制,均采用白光+彩膜的方式,而白光+彩膜的全彩化形式限制了OLED本身色域较高的优势,其色域约为80%,而真正的RGB(real RGB)的色域均大于100。即,现有技术的OLED作为微显示器应用时,较难获得较高的色域以及较高的亮度。
发明内容
本发明提供一种有机发光显示基板、显示装置及其制作方法,以解决现有技术的OLED作为微显示器应用时,存在较难获得较高色域以及较高亮度的问题。
本发明实施例提供一种有机发光显示基板,包括:设置在衬底基板之上的反射层、设置在所述反射层之上的阻挡层,所述阻挡层包括间隔各像素单元的挡墙,每一由所述挡墙界定的所述像素单元内,在所述反射层远离所述衬底基板一侧上依次设置有透明导电层、第一电极、发光层、以及半透半反的第二电极;
在垂直于所述衬底基板的方向上,不同出光色像素单元的所述透明导电层厚度不同,以使每一所述像素单元发出的光在所述反射层与所述第二电极之间传输满足强微腔效应。
在一种可能的实施方式中,在垂直于所述衬底基板的方向上,各所述像素单元的所述挡墙的高度均大于或等于该所述像素单元的所述透明导电层的厚度。
在一种可能的实施方式中,所述像素单元包括红色像素单元、绿色像素单元以及蓝色像素单元,各个所述像素单元的所述挡墙的高度相等,均等于所述红色像素单元的所述透明导电层的厚度与一预设值的和,所述预设值为
在一种可能的实施方式中,所述透明导电层的材质包括透明导电有机复合薄膜。
在一种可能的实施方式中,所述透明导电有机复合薄膜包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚对苯乙烯磺酸的复合油墨。
在一种可能的实施方式中,各所述像素单元的所述发光层发射的光为白光,在所述第二电极远离所述衬底基板一侧还设置有彩膜层。
在一种可能的实施方式中,所述发光层包括依次设置于所述第一电极远离所述衬底基板一侧上的空穴注入层、空穴传输层、红色发光层、绿色发光层、电荷生成层、蓝色发光层、电子传输层以及电子注入层。
在一种可能的实施方式中,所述衬底基板包括硅基衬底基板。
在一种可能的实施方式中,所述反射层的材质包括铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的