[发明专利]GOA电路结构有效

专利信息
申请号: 201811119940.7 申请日: 2018-09-25
公开(公告)号: CN109119041B 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 陈帅 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: goa 电路 结构
【权利要求书】:

1.一种GOA电路结构,其特征在于:所述GOA电路结构包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下传单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一附加薄膜晶体管(T23);其中所述上拉单元、所述下传单元、所述下拉单元及所述下拉维持单元与第n级GOA电路的栅极信号输出端(G(n))电性连接,n为自然数;所述上拉控制单元、所述下传单元、所述下拉单元及所述下拉维持单元与第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n))电性连接;所述附加薄膜晶体管(T23)的一漏极电性连接一工作电压(VSS);

所述附加薄膜晶体管(T23)的栅极电性连接第n-3级GOA电路的控制信号端(P(n-3));所述附加薄膜晶体管(T23)的源极电性连接第n-3级GOA电路的级传信号输出端(ST(n-3));所述上拉控制单元电性连接第n-4级GOA电路的栅极信号输出端(G(n-4));

当第n-3级GOA电路的级传信号输出端(ST(n-3))为一低电位时,第n-3级GOA电路的控制信号端(P(n-3))先持续一时间一低电位后变为一高电位,使得所述附加薄膜晶体管(T23)处于一开启状态。

2.如权利要求1所述的GOA电路结构,其特征在于:当第n-3级GOA电路的级传信号输出端(ST(n-3))为一高电位时,第n-3级GOA电路的控制信号端(P(n-3))为一低电位,使得所述附加薄膜晶体管(T23)处于一关闭状态。

3.如权利要求1所述的GOA电路结构,其特征在于:所述下传单元包括:一第二薄膜晶体管(T22),所述第二薄膜晶体管(T22)的一栅极电性连接所述第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n)),所述第二薄膜晶体管(T22)的一源极电性连接第n级GOA电路的级传信号输出端(ST(n)),所述第二薄膜晶体管(T22)的一漏极电性连接一时钟信号(CK1/CK5)。

4.如权利要求1所述的GOA电路结构,其特征在于:所述上拉单元包括:一第三薄膜晶体管(T21),所述第三薄膜晶体管(T21)的一栅极电性连接所述第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n)),所述第三薄膜晶体管(T21)的一源极电性接所述第n级GOA电路的栅极信号输出端(G(n)),所述第三薄膜晶体管(T21)的一漏极电性连接一时钟信号(CK1/CK5)。

5.如权利要求1所述的GOA电路结构,其特征在于:所述下拉单元包括:一第四薄膜晶体管(T41),所述第四薄膜晶体管(T41)的一栅极电性连接第n+4级GOA电路的一栅极信号输出端(G(n+4)),所述第四薄膜晶体管(T41)的一漏极电性连接所述第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n)),所述第四薄膜晶体管(T41)的一源极电性连接所述工作电压(VSS);及

一第五薄膜晶体管(T31),所述第五薄膜晶体管(T31)的一栅极连接第n+4级GOA电路的栅极信号输出端(G(n+4)),所述第五薄膜晶体管(T31)的一漏极电性连接所述栅极信号输出端(G(n)),所述第五薄膜晶体管(T31)的一源极电性连接所述工作电压(VSS)。

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