[发明专利]GOA电路结构有效
申请号: | 201811119940.7 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109119041B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 陈帅 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | goa 电路 结构 | ||
1.一种GOA电路结构,其特征在于:所述GOA电路结构包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下传单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一附加薄膜晶体管(T23);其中所述上拉单元、所述下传单元、所述下拉单元及所述下拉维持单元与第n级GOA电路的栅极信号输出端(G(n))电性连接,n为自然数;所述上拉控制单元、所述下传单元、所述下拉单元及所述下拉维持单元与第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n))电性连接;所述附加薄膜晶体管(T23)的一漏极电性连接一工作电压(VSS);
所述附加薄膜晶体管(T23)的栅极电性连接第n-3级GOA电路的控制信号端(P(n-3));所述附加薄膜晶体管(T23)的源极电性连接第n-3级GOA电路的级传信号输出端(ST(n-3));所述上拉控制单元电性连接第n-4级GOA电路的栅极信号输出端(G(n-4));
当第n-3级GOA电路的级传信号输出端(ST(n-3))为一低电位时,第n-3级GOA电路的控制信号端(P(n-3))先持续一时间一低电位后变为一高电位,使得所述附加薄膜晶体管(T23)处于一开启状态。
2.如权利要求1所述的GOA电路结构,其特征在于:当第n-3级GOA电路的级传信号输出端(ST(n-3))为一高电位时,第n-3级GOA电路的控制信号端(P(n-3))为一低电位,使得所述附加薄膜晶体管(T23)处于一关闭状态。
3.如权利要求1所述的GOA电路结构,其特征在于:所述下传单元包括:一第二薄膜晶体管(T22),所述第二薄膜晶体管(T22)的一栅极电性连接所述第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n)),所述第二薄膜晶体管(T22)的一源极电性连接第n级GOA电路的级传信号输出端(ST(n)),所述第二薄膜晶体管(T22)的一漏极电性连接一时钟信号(CK1/CK5)。
4.如权利要求1所述的GOA电路结构,其特征在于:所述上拉单元包括:一第三薄膜晶体管(T21),所述第三薄膜晶体管(T21)的一栅极电性连接所述第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n)),所述第三薄膜晶体管(T21)的一源极电性接所述第n级GOA电路的栅极信号输出端(G(n)),所述第三薄膜晶体管(T21)的一漏极电性连接一时钟信号(CK1/CK5)。
5.如权利要求1所述的GOA电路结构,其特征在于:所述下拉单元包括:一第四薄膜晶体管(T41),所述第四薄膜晶体管(T41)的一栅极电性连接第n+4级GOA电路的一栅极信号输出端(G(n+4)),所述第四薄膜晶体管(T41)的一漏极电性连接所述第n级GOA电路的栅极信号点(Q(n)),所述第四薄膜晶体管(T41)的一源极电性连接所述工作电压(VSS);及
一第五薄膜晶体管(T31),所述第五薄膜晶体管(T31)的一栅极连接第n+4级GOA电路的栅极信号输出端(G(n+4)),所述第五薄膜晶体管(T31)的一漏极电性连接所述栅极信号输出端(G(n)),所述第五薄膜晶体管(T31)的一源极电性连接所述工作电压(VSS)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811119940.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置、显示装置的驱动配置方法及显示器
- 下一篇:驱动电路