[发明专利]基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件及其制备方法

权利要求书

1.基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件，其包括，

衬底；

缓冲层，位于所述衬底的上表面；

N型层，覆盖于所述缓冲层的上；

多量子阱层，覆盖于所述N型层上；

电子阻挡层，覆盖于所述多量子阱层上；

P型层，覆盖于所述电子阻挡层上；

微阵列导电电极层，覆盖于所述P型层上；

其中，所述微阵列导电电极层包括依次层叠的石墨烯层及多环银纳米薄膜电极，所述多环银纳米薄膜电极包含至少三个同心圆环以及至少四条互相垂直的矩形带，所述同心圆环之间间距相等，所述矩形带沿其圆环的直径方向连接圆环，并沿所述圆环的圆周方向均匀分布；

还包括n电极和p电极，所述n电极位于所述N型层上，所述p电极位于所述多环银纳米薄膜电极的最外环上。

2.根据权利要求1的所述发光器件，其特征在于，所述同心圆环为三个，最外围的圆环外径为180nm，最小圆环的外径为60nm，位于所述最外围的圆环与所述最小圆环之间的圆环外径为120nm，所述圆环的带宽为15nm。

3.根据权利要求1的所述发光器件，其特征在于，所述互相垂直的矩形带为四个，所述矩形带的带宽为15nm。

4.基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件的制备方法，其包括，

衬底的清洁处理；

在清洁处理后的衬底表面沉积一缓冲层；

在所述缓冲层的表面沉积一N型层；

在所述N型层的表面沉积多量子阱层；

在所述多量子阱层表面生长一电子阻挡层；

在所述电子阻挡层表面生长一P型层；

将单层石墨烯转移至所述P型层上；

在所述单层石墨烯表面蒸镀金属Ag薄膜；

采用光刻技术将所述金属Ag薄膜刻蚀为多环Ag纳米薄膜，从而形成微阵列导电电极层，其中所述多环Ag纳米薄膜包含至少三个同心圆环以及至少四条互相垂直的矩形带，所述同心圆环之间间距相等，所述矩形带沿其圆环的直径方向连接圆环，并沿所述圆环的圆周方向均匀分布；

p电极及n电极的制备包括：在转移单层石墨烯步骤之前，通过刻蚀技术刻蚀外延片边缘部分，深度至N型层，在该N型层上制备n电极；

在多环Ag纳米薄膜的最外环上制备p电极。

5.根据权利要求4的所述制备方法，其特征在于，在所述p电极及n电极的制备工序之后，在280℃的氮气气氛下进行10分钟的退火处理。

6.根据权利要求4的所述制备方法，其特征在于，所述同心圆环为三个，最外围的圆环外径为180nm，最小圆环的外径为60nm，位于所述最外围的圆环与所述最小圆环之间的圆环外径为120nm，所述圆环的带宽为15nm。

7.根据权利要求4的所述制备方法，其特征在于，所述互相垂直的矩形带为四个，所述矩形带的带宽为15nm。