[发明专利]一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811120817.7 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109256438A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 谷雪 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/0376;H01L31/032;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京清诚知识产权代理有限公司 11691 | 代理人： | 乔东峰;瞿朝兵 |
| 地址： | 101300 北京市顺义区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镓 薄膜 光电晶体管 硅基衬 硅基非 日盲 制备 致密 二氧化硅层 工艺可控性 薄膜表面 磁控溅射 厚度稳定 制造工艺 紫外可见 紫外探测 底电极 潜在的 响应度 抑制比 电极 生长 叠置 非晶 复性 均一 制造 制作 应用 | ||
1.一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，包括依次叠置的底电极、衬底、氧化镓薄膜和上电极，其特征在于：所述氧化镓薄膜为非晶薄膜，所述衬底为SiO2/Si衬底，该SiO2/Si衬底包括上部的SiO2层和下部的Si层。
2.如权利要求1所述的硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，其特征在于：所述SiO2/Si衬底的SiO2层厚度为150nm至300nm。
3.如权利要求1所述的硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，其特征在于：所述底电极包括Au层，上电极包括Au层或Au/Ti层。
4.如权利要求1所述的硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，其特征在于：所述非晶氧化镓薄膜的厚度为500nm至800nm。
5.一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管的制造方法，包括：在衬底上生长氧化镓薄膜；在衬底的背部形成底电极；在氧化镓薄膜上形成上电极，其特征在于：所述氧化镓薄膜为非晶氧化镓薄膜，所述衬底为SiO2/Si衬底，该SiO2/Si衬底包括上部的SiO2层和下部的Si层。
6.如权利要求5所述的非晶氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述在衬底上生长氧化镓薄膜的步骤为在室温下采用磁控溅射法生长非晶氧化镓薄膜。
7.如权利要求6所述的非晶氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述磁控溅射法的生长参数包括：工作气氛为Ar气。
8.如权利要求7所述的非晶氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述磁控溅射法的生长参数还包括：溅射功率为60W～100W。
9.如权利要求8所述的非晶氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述磁控溅射法的生长参数还包括：工作气压为0.01Pa～10Pa。
10.如权利要求5至9中任一项所述的非晶氧化镓薄膜的制造方法，其特征在于：所述SiO2/Si衬底的SiO2层厚度为150nm至300nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
