[发明专利]带有屏蔽结构的晶体管、封装器件及其制造方法

说明书

本公开涉及带有屏蔽结构的晶体管、封装器件及其制造方法。晶体管包括具有内部有源器件、第一端和第二端的半导体基板。所述晶体管还包括在所述半导体基板上由介电材料和导电材料的层形成的互连结构。所述互连结构包括由所述导电材料形成并且延伸通过所述介电材料的导柱、分接互连件和安置在所述导柱和所述分接互连件之间的屏蔽结构。所述导柱接触所述第一端并且连接到第一流道。所述分接互连件接触所述第二端并且连接到第二流道。所述屏蔽结构包括基部段、从所述基部段的相对末端延伸的第一支腿和第二支腿，其中所述第一和第二支腿在反向平行于所述基部段的长度的方向上从所述基部段的相对末端延伸。

技术领域

本发明大体上涉及场效应晶体管。更具体地，本发明涉及在有源器件的输入端和输出端之间具有屏蔽结构的场效应晶体管、其中带有场效应晶体管的封装半导体器件和制造这类场效应晶体管的方法。

背景技术

典型的高功率半导体器件封装可包括一个或多个输入引线、一个或多个输出引线、一个或多个晶体管、将(一个或多个)输入引线耦合到(一个或多个)晶体管的焊线和将(一个或多个)晶体管耦合到(一个或多个)输出引线的焊线。在这类高功率半导体器件封装中的场效应晶体管(FET)可包括叉指形漏极和栅极流道。FET的栅极通过从栅极流道分接的输入信号来驱动。栅极流道的分接可添加可降低放大器稳定性并且减少增益的寄生反馈电容。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种晶体管，包括：

具有第一端和第二端的半导体基板；和

在所述半导体基板的上表面上的互连结构，所述互连结构由多层介电材料和导电材料形成，所述互连结构包括：

由所述导电材料形成的导柱，所述导柱与所述第一端电接触，所述导柱延伸通过所述介电材料；

由所述导电材料形成的分接互连件，所述分接互连件与所述第二端电接触，所述分接互连件延伸通过所述介电材料；和

由所述导电材料形成的屏蔽结构，所述屏蔽结构安置在所述导柱和所述分接互连件之间并且被配置成阻断在所述分接互连件和所述导柱之间的电场，并且所述屏蔽结构包括基部段、从所述基部段的相对末端延伸的第一支腿和第二支腿，其中所述第一和第二支腿在反向平行于所述基部段的长度的方向上从所述基部段的相对末端延伸。

在一个或多个实施例中，所述互连结构的所述导电材料包括：

第一层，接地平面在所述第一层中形成；和

通过所述介电材料的第一介电材料层与所述第一层间隔开的第二层，所述屏蔽结构在所述第二层中形成，其中所述第一层相对于所述第二层最靠近于所述半导体基板的所述上表面驻留，并且第一导电通孔延伸通过所述第一介电材料层以将所述屏蔽结构与所述接地平面电互连。

在一个或多个实施例中，所有所述基部段、所述第一支腿和所述第二支腿在所述导电材料的所述第二层中形成。

在一个或多个实施例中，所述接地平面包括在所述第一层中形成的第一区段和第二区段；

所述分接互连件的第一分接互连件段在所述接地平面的所述第一和第二区段之间的所述第一层中形成；和

所述接地平面的所述第一和第二区段通过所述介电材料与所述第一分接互连件段侧向间隔开并且电隔离。

在一个或多个实施例中，所述第一导电通孔耦合到所述屏蔽结构的所述第一支腿和所述接地平面的所述第一区段中的每个；和

所述晶体管进一步包括延伸通过所述第一介电材料层并且耦合到所述屏蔽结构的所述第二支腿和所述接地平面的所述第二区段中的每个的第二导电通孔。

在一个或多个实施例中，所述分接互连件包括：