[发明专利]半导体元器件的制造方法及半导体元器件

权利要求书

1.一种半导体元器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

刻蚀所述半导体衬底形成浅槽；

在所述浅槽的底面掺杂第一P型杂质，以形成P型底面掺杂区；

填充所述浅槽形成浅槽隔离结构；

在所述半导体衬底上形成绝缘介质层；

通过第一光刻定义出P型界面掺杂区的掺杂窗口，所述掺杂窗口呈长方形；

通过所述掺杂窗口掺杂第二P型杂质，以在所述半导体衬底内形成所述P型界面掺杂区；

在所述绝缘介质层上形成多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层和绝缘介质层形成栅氧化层和多晶硅栅；

在所述半导体衬底表面掺杂N型杂质，以在所述半导体衬底内形成N型源区和N型漏区；在所述半导体衬底表面，所述P型界面掺杂区在长度方向与所述N型源区和所述N型漏区的距离均为大于0的第一距离，所述P型界面掺杂区在宽度方向与所述N型源区和N型漏区之间的沟道宽度区域有大于0的第二距离的重叠区域，所述P型界面掺杂区在宽度方向与所述浅槽隔离结构有大于0的第三距离的重叠区域；

其中，所述通过所述掺杂窗口掺杂第二P型杂质的步骤，包括通过所述掺杂窗口注入所述第二P型杂质。

2.根据权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述第一距离的范围为[0.1×(1-10％)um，0.2×(1+10％)um]，所述第二距离与所述沟道宽度的比值范围为(0，0.05]。

3.根据权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述在所述浅槽的底面掺杂第一P型杂质的步骤之前，还包括：

通过第二光刻将不适合掺杂所述第一P型杂质的区域用掺杂阻挡结构进行遮盖，所述浅槽完整露出。

4.根据权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述通过所述掺杂窗口注入所述第二P型杂质的步骤是采用倾斜注入或垂直注入的方式进行注入，所述倾斜注入偏离垂直方向的角度范围为[0°，45°]。

5.根据权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，第二P型杂质包括铟，所述第二P型杂质的注入能量为[100Kev，180Kev]，所述第二P型杂质的注入剂量为[2×10¹³离子数/cm²，1.5×10¹⁴离子数/cm²]。

6.根据权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述第一P型杂质包括BF2，所述第一P型杂质的注入能量为[40Kev，60Kev]，所述第一P型杂质的注入剂量为[1×10¹³离子数/cm²，2×10¹³离子数/cm²]。

7.根据权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底表面掺杂N型杂质的步骤，包括：

在所述半导体衬底表面以第一剂量掺杂第一N型杂质，以在所述半导体衬底内形成第一N型源区和第一N型漏区；

在所述栅氧化层和多晶硅栅的周围形成侧墙；

在所述半导体衬底表面以第二剂量掺杂第二N型杂质，以在所述半导体衬底内形成第二N型源区和第二N型漏区，所述第二剂量大于所述第一剂量。