[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体衬底，具有一第一导电类型；

一深阱，设置于该半导体衬底上，且具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；

一第一阱和一第二阱，设置于该深阱内且具有该第一导电类型，其中该第一阱和该第二阱由该深阱的一部分隔开，且该第一阱电连接于该第二阱；以及

一第一掺杂区和一第二掺杂区，设置于该深阱内且具有该第二导电类型，其中该第一阱和该第二阱位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间；

一漏极电极、一源极电极和一栅极电极，设置于该半导体衬底上，其中该漏极电极电连接于该第一掺杂区，该源极电极电连接于该第二掺杂区，且该栅极电极电连接于该第一阱和该第二阱。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该深阱的底面、该第一阱的底面和该第二阱的底面共平面。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一第三阱，设置于该半导体衬底上且环绕该深阱，其中该第三阱具有该第一导电类型，且该第三阱电连接于一接地端。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一阱和该第二阱电连接于该第三阱。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第二阱为该第三阱在一上视图中向该第一掺杂区延伸的一延伸部。

6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一阱的底面高于该深阱的底面。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一埋层，夹设于该第一阱与该半导体衬底之间，其中该埋层具有该第一导电类型，该埋层的底面低于该深阱的底面或和该深阱的底面共平面。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一外延层，设置于该半导体衬底上且具有该第二导电类型，其中该深阱设置于该外延层内，且该深阱的掺杂浓度高于该外延层的掺杂浓度。

9.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体衬底，具有一第一导电类型；

一深阱，设置于该半导体衬底上，且具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；

一第一阱，设置于该半导体衬底上且环绕该深阱，其中该第一阱具有该第一导电类型，且在一上视图中，该第一阱具有延伸至该深阱内的一延伸部；以及

一第一掺杂区、一第二掺杂区和一第三掺杂区，设置于该深阱内且具有该第二导电类型，其中在该上视图中，该第一掺杂区设置于该延伸部的延伸线上，该第二掺杂区和该第三掺杂区分别设置于该延伸部的两侧，且该第二掺杂区和该第三掺杂区与该延伸部隔开。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一漏极电极、一第一源极电极和一第二源极电极，设置于该半导体衬底上，其中该漏极电极电连接于该第一掺杂区，该第一源极电极电连接于该第二掺杂区，且该第二源极电极电连接于该第三掺杂区。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一第二阱和一第三阱，设置于该深阱内且具有该第一导电类型，其中在该上视图中，该第二阱和该第三阱分别设置于该延伸部的两侧，且该第二阱和该第三阱与该延伸部隔开。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，该第二阱在该第一掺杂区与该第二掺杂区之间，且该第三阱在该第一掺杂区与该第三掺杂区之间。

13.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

一栅极电极，设置于该半导体衬底上，其中该栅极电极电连接于该第二阱和该第三阱。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，该栅极电极和该第一阱电连接于一接地端。