[发明专利]一种用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置

权利要求书

1.一种用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，包括：

上部外罩，所述上部外罩包括上部外罩内壁、顶部外壳和上部外罩外壁，所述顶部外壳覆盖上部外罩内壁和上部外罩外壁的顶端从而形成上部腔体，上部外罩内壁的底端设置有上部密封圈；

下部外罩，所述下部外罩包括下部外罩内壁、下部外壳和下部外罩外壁，所述下部外壳连接下部外罩内壁和下部外罩外壁的底端从而形成下部腔体，下部外罩内壁的顶端设置有下部密封圈；以及

流体管道，所述流体管道沿半导体装置的外壁或内壁进入上部腔体。

2.如权利要求1所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，所述上部密封圈是O型绝缘圈，所述下部密封圈是O型绝缘圈。

3.如权利要求1所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，所述流体管道在上部腔体内的末端处设置有一个或多个喷嘴。

4.如权利要求3所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，所述喷嘴能以任意角度转动。

5.权利要求3所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，所述上部外罩还包括上腔顶盖，所述上腔顶盖的一端固定在上部外罩的内壁上，所述喷嘴穿过所述上腔顶盖进入上部腔体。

6.如权利要求5所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，所述上腔顶盖设置有一个或多个通孔。

7.如权利要求5所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，所述上腔顶盖与所述下部外罩外壁接触或分隔开特定距离。

8.如权利要求1所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，所述下部外罩还可包括出液口，所述出液口设置在下部腔体的底部或侧面。

9.如权利要求1所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，所述上部外罩能够上下移动，当所述上部外罩往上移动时，接受待处理晶圆，将所述待处理晶圆放置在所述下部外罩内壁顶端的下部密封圈上，然后所述上部外罩向下移动并覆盖在下部外罩之上，所述上部密封圈和下部密封圈分别接触晶圆的上下两个表面，并形成密封，由此所述上部腔体与下部腔体合并构成湿法处理腔体。

10.如权利要求9所述的用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置，其特征在于，当所述上部密封圈和下部密封圈分别接触晶圆的上下两个表面并形成密封后，所述下部外罩外壁的顶端高于所述晶圆的上表面。