[发明专利]一种光探测器原型器件的制备方法有效

专利信息
申请号: 201811124266.1 申请日: 2018-09-26
公开(公告)号: CN109346611B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 吕燕飞;徐竹华;赵士超 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱月芬
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 探测器 原型 器件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种光探测器原型器件的制备方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:

步骤(1)、通过化学气相沉积法在铜薄膜表面生长单原子层厚度的石墨烯薄膜;

步骤(2)、步骤(1)的产物放入180℃的烘箱中,烘箱中的湿度通过加湿器控制在湿度为80%;放置12小时后取出;产物结构为中间夹有氧化亚铜的三明治结构,Cu/Cu2O/Gr;

步骤(3)、在石墨烯表面通过旋涂法涂覆一层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸薄膜,旋涂转速为3000转/分钟;PEDOT:PSS薄膜厚度为20nm;形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS叠层结构;其中聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸薄膜即PEDOT:PSS薄膜;

步骤(4)、在PEDOT:PSS薄膜表面继续通过旋涂法涂覆一层聚乙烯基咔唑薄膜;其中聚乙烯基咔唑薄膜为将聚乙烯基咔唑溶解于氯仿溶液中,浓度为0.02g/ml;旋涂转速为4000转/分钟;聚乙烯基咔唑薄膜厚度为20nm;形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS/PVK叠层结构;其中PVK即聚乙烯基咔唑;

步骤(5)、在Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS/PVK叠层结构的PVK上表面通过热蒸发法沉积金属金电极。

2.根据权利要求1所述的一种光探测器原型器件的制备方法,其特征在于:步骤(1)具体为取正方形铜薄膜,放入CVD系统中的石英管中,向石英管中通入氢气,氢气流速为20sccm;石英管从室温加热至1000℃,升温速率20℃/min;向石英管中通入甲烷,甲烷流速100sccm;在1000℃保温40min后,石英管快速降温至600℃,降温速率200℃/min,600℃后石英管自然降至室温,停止通入甲烷气体、氢气气体;获得生长在金属铜表面的单原子层厚的石墨烯(Gr);产物结构为Cu/Gr。

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