[发明专利]一种IGBT铝碳化硅散热基板的阻焊方法

权利要求书

1.一种IGBT铝碳化硅散热基板的阻焊方法，其特征在于，将铝碳化硅基板进行表面处理，然后进行电镀镍，最后对电镀后的铝碳化硅基板进行激光阻焊，包括以下步骤：

S1、将铝碳化硅基板进行表面处理，然后电镀一层厚度10~25μm的镍；

S2、调整激光发射器功率5~50KW，使激光焦点落在镀镍层上；

S3、控制激光刻蚀深度与宽度，将镀镍层打掉，露出铝碳化硅表面铝层，控制激光刻蚀线条沿芯片边缘形成第一个线框；

S4、在步骤S3制备的第一个线框外，再用激光刻蚀第二个线框，控制激光刻蚀深度，打掉镀层和铝层，露出铝碳化硅层。

2.根据权利要求1所述的IGBT铝碳化硅散热基板的阻焊方法，其特征在于，步骤S3中，激光刻蚀深度为12~30μm，宽度为25~40μm。

3.根据权利要求1所述的IGBT铝碳化硅散热基板的阻焊方法，其特征在于，步骤S4中，激光刻蚀的深度为30~50μm，激光刻蚀的线框宽度为30~40μm。

4.根据权利要求3所述的IGBT铝碳化硅散热基板的阻焊方法，其特征在于，两个线框的间距为0.5~1.0mm。

5.根据权利要求1所述的IGBT铝碳化硅散热基板的阻焊方法，其特征在于，电镀镍的厚度为15~25μm。