[发明专利]一种晶圆的减薄方法

权利要求书

1.一种晶圆的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括：

S1：提供待减薄的晶圆，采用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角；

S2：制备涂覆液，并将涂覆液均匀涂覆在晶圆正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与晶圆正面以及四周紧密粘贴，然后在50-55℃温度下烘烤15min，使晶圆涂覆液硬化形成覆盖层；

S3：提供基板，将晶圆正面与基板固定；

S4：对晶圆背面进行第一次研磨，减薄器件晶圆体衬底的厚度，将基板固定在晶圆减薄机上，晶圆减薄机上的磨刀对晶圆背面进行减薄，将晶圆背面减薄至预定厚度，再进行光磨3-5s；

S5：对晶圆背面进行第一次湿法蚀刻，将晶圆放入蚀刻液中对晶圆背面进行湿法蚀刻，蚀刻液温度为60-70℃，湿法蚀刻时间为2分钟；

S6：对晶圆背面进行第二次研磨，减薄晶圆体衬底的厚度，将基板固定在晶圆减薄机上，晶圆减薄机上的磨刀对晶圆背面进行减薄，将晶圆背面减薄至预定厚度，再进行光磨3-5s；

S7：对晶圆背面进行第二次湿法蚀刻，将晶圆放入蚀刻液中对晶圆背面进行湿法蚀刻，将晶圆减薄至要求厚度，蚀刻液温度为60-70℃，湿法蚀刻时间为2分钟；

S8：将晶圆与基板分离，去除晶圆的覆盖层，即得减薄后的晶圆。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆的减薄方法，其特征在于：所述涂覆液为聚四氟乙稀和聚酰亚胺的混合溶液，所述聚四氟乙稀与聚酰亚胺的质量比为1:3-5。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆的减薄方法，其特征在于：所述蚀刻液为硫酸、硝酸钾、氢氟酸和氟化氢铵的混合溶液，所述硫酸、硝酸钾、氢氟酸与氟化氢铵的质量比为7:2:0.5:0.5。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆的减薄方法，其特征在于：所述的磨刀向下进给速率为3μm/s-4μm/s，磨刀主轴转速为3000-5000r/min，晶圆每转磨削深度为700-900nm。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆的减薄方法，其特征在于：所述减薄后晶圆的厚度为5μm-40μm。