[发明专利]一种超薄芯片生产方法

权利要求书

1.一种超薄芯片生产方法，其特征在于，包括晶圆贴膜、晶圆减薄、划片、封装和测试，过程如下：

（1）晶圆贴膜：在晶圆图形表面贴覆一层粘结膜片；

（2）晶圆减薄：采用机械研磨和湿法蚀刻交替对晶圆背面进行减薄，将晶圆减薄至厚度为5μm-50μm；

（3）划片：在晶圆自动划片机上对减薄后的晶圆进行划片，沿晶圆上划片道划片，得到分离的芯片；

（4）封装：将待封装芯片的背面贴装在载体的正面形成的粘合层上，在载体表面形成封料层，所述封料层包裹在待封装芯片的四周，然后剥离载体，露出待封装芯片的背面，在待封装芯片的背面通过再布线工艺完成封装；

（5）测试：将封装后的芯片置于测试装置的模拟环境下测试其电气特性，包括消耗功率、运行速度和耐压度，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级，测试合格的芯片包装入库，完成超薄芯片的生产。

2.根据权利要求1所述的一种超薄芯片生产方法，其特征在于，所述晶圆的减薄为：

S1：对晶圆背面进行第一次研磨，减薄晶圆体衬底的厚度，将基板固定在晶圆减薄机上，晶圆减薄机上的磨刀对晶圆背面进行减薄，将晶圆背面减薄至预定厚度，再进行光磨3-5s；

S2：对晶圆背面进行第一次湿法蚀刻，将晶圆放入蚀刻液中对晶圆背面进行湿法蚀刻，蚀刻液温度为60-70℃，湿法蚀刻时间为2分钟；

S3：对晶圆背面进行第二次研磨，减薄器件晶圆体衬底的厚度，将基板固定在晶圆减薄机上，晶圆减薄机上的磨刀对晶圆背面进行减薄，将晶圆背面减薄至预定厚度，再进行光磨3-5s；

S4：对晶圆背面进行第二次湿法蚀刻，将晶圆放入蚀刻液中对晶圆背面进行湿法蚀刻，将晶圆减薄至预定厚度，将晶圆与基板分离，即得减薄后的晶圆，蚀刻液温度为60-70℃，湿法蚀刻时间为2分钟。

3.根据权利要求2所述的一种超薄芯片生产方法，其特征在于：所述蚀刻液为硫酸、硝酸钾、氢氟酸和氟化氢铵的混合溶液，所述硫酸、硝酸钾、氢氟酸与氟化氢铵的质量比为7:2:0.5:0.5。

4.根据权利要求2所述的一种超薄芯片生产方法，其特征在于：所述的磨刀向下进给速率为3μm/s-4μm/s，磨刀主轴转速为3000-5000r/min，晶圆每转磨削深度为700-900nm。

5.根据权利要求1所述的一种超薄芯片生产方法，其特征在于：所述封料层为感光干膜、非感光干膜或者塑封材料膜。

6.根据权利要求1所述的一种超薄芯片生产方法，其特征在于：所述封料层为利用半导体工艺将封料材料覆盖在贴装有待封装芯片的载体上，固化封料材料，形成封料层。