[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁朝向第二鳍部，所述衬底上还具有覆盖第一鳍部和第二鳍部部分侧壁的隔离层，且所述隔离层表面低于第一鳍部顶部表面和第二鳍部顶部表面；在第一鳍部的第一侧壁表面形成第一侧墙；形成第一侧墙后，在第一鳍部内形成第一掺杂层，所述第一侧墙覆盖第一掺杂层部分侧壁；在第二鳍部内形成第二掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高的集成度的方向发展。器件作为最基本的半导体器件，目前正被广泛应用，传统的平面器件对沟道电流的控制能力变弱，产生短沟道效应而导致漏电流，最终影响半导体器件的电学性能。

为了克服器件的短沟道效应，抑制漏电流，现有技术提出了鳍式场效应晶体管(Fin FET)，鳍式场效应晶体管是一种常见的多栅器件，鳍式场效应晶体管的结构包括：位于衬底表面的鳍部和隔离层，所述隔离层覆盖部分所述鳍部的侧壁，且隔离层表面低于鳍部顶部；位于隔离层表面，以及鳍部的顶部和侧壁表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区。

然而，现有技术形成的半导体器件的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有相邻的第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部具有相对的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁朝向第二鳍部，所述衬底上还具有覆盖第一鳍部和第二鳍部部分侧壁的隔离层，且所述隔离层表面低于第一鳍部顶部表面和第二鳍部顶部表面；在第一鳍部的第一侧壁表面形成第一侧墙；形成第一侧墙后，在第一鳍部内形成第一掺杂层，所述第一侧墙覆盖第一掺杂层部分侧壁；在第二鳍部内形成第二掺杂层。

可选的，所述第二鳍部具有相对的第三侧壁和第四侧壁，所述第三侧壁朝向第一鳍部；所述半导体器件的形成方法还包括：在第二鳍部的第四侧壁形成第二侧墙；在第二鳍部内形成第二掺杂层，所述第二侧墙覆盖第二掺杂层部分侧壁。

可选的，形成所述第一侧墙后，形成第二侧墙；形成所述第二侧墙后，形成所述第一侧墙。

可选的，形成所述第一侧墙过程中形成所述第二侧墙。

可选的，所述第一侧墙和第二侧墙的形成方法包括：在衬底上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖第一鳍部顶部和侧壁以及第二鳍部顶部和侧壁；对所述第一鳍部第二侧壁的侧墙材料层和第二鳍部第三侧壁的所述侧墙材料层进行改性处理，使得位于第一鳍部第二侧壁和位于第二鳍部的第三侧壁的侧墙材料层具有掺杂离子，所述具有掺杂离子的侧墙材料层和无掺杂的侧墙材料层的刻蚀选择比不同；回刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出第一鳍部和第二鳍部顶部表面，在第一鳍部第一侧壁形成第一侧墙，在第一鳍部第二侧壁形成第一改性层，在第二鳍部第四侧壁形成第二侧墙，在第二鳍部第三侧壁形成第二改性层，所述第一改性层和第二改性层内具有掺杂离子；去除所述第一改性层和所述第二改性层，在第一鳍部第一侧壁形成所述第一侧墙，在第二鳍部第四侧壁形成所述第二侧墙。

可选的，所述第一侧墙和第二侧墙的形成方法包括：在第一鳍部侧壁形成初始第一侧墙；在第二鳍部侧壁形成初始第二侧墙；对第一鳍部第二侧壁的初始第一侧墙和第二鳍部第四侧壁的初始第二侧墙进行改性处理，分别在第一鳍部第二侧壁和第二鳍部第四侧壁形成第一改性层和第二改性层，所述第一改性层和第二改性层内具有掺杂离子，所述第一改性层和第二改性层和初始第一侧墙和初始第二侧墙的刻蚀选择比不同；去除所述第一改性层和所述第二改性层，在第一鳍部第一侧壁形成所述第一侧墙，在第二鳍部第四侧壁形成所述第二侧墙。