[发明专利]一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法有效
| 申请号： | 201811124910.5 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109326575B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 任玉龙;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 布线 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法，包括：
在晶圆上形成PVD种子层；
在PVD种子层表面形成RDL层光刻胶；
对形成的RDL层光刻胶进行图形化曝光，形成RDL曝光区域；
在曝光后的RDL层光刻胶上形成Bump层光刻胶；
进行Bump层光刻胶的图像化曝光，形成Bump曝光区域；
显影，去除RDL曝光区域和Bump曝光区域，形成Bump和RDL电镀窗口；
电镀，在所述RDL曝光区域填充金属形成RDL结构，在所述Bump曝光区域填充金属形成Bump结构；以及
去除光刻胶及外露的PVD种子层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Bump层光刻胶的厚度大于所述RDL层光刻胶的厚度，Bump层光刻胶和RDL层光刻胶都为正胶。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀形成RDL和Bump结构的Bump为导电铜柱。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电镀形成RDL和Bump结构的Bump为锡银焊球或锡银铜焊球。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括对Bump结构进行回流焊。
6.一种低成本重布线凸点封装结构的制造方法，包括：
在晶圆上形成PVD种子层；
在PVD种子层表面形成RDL层光刻胶；
对形成的RDL层光刻胶进行图形化曝光，形成RDL曝光区域；
对RDL层光刻胶进行显影，去除所述RDL曝光区域；
在显影后的RDL层光刻胶上形成Bump层光刻胶；
进行Bump层光刻胶的图像化曝光，形成Bump曝光区域；
显影，去除所述Bump曝光区域，形成Bump电镀窗口；
电镀，在所述RDL曝光区域填充金属形成RDL结构，在所述Bump曝光区域填充金属形成Bump结构；以及
去除光刻胶及外露的PVD种子层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述Bump层光刻胶为粘覆的光刻胶干膜，其厚度大于所述RDL层光刻胶的厚度。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述电镀形成RDL和Bump结构的Bump为导电铜柱。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述电镀形成RDL和Bump结构的Bump为锡银焊球或锡银铜柱。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括对Bump结构进行回流焊。
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