[发明专利]电子装置

说明书

本发明公开了一种电子装置，包括至少第一发光二极管、第二发光二极管及控制电路。所述第一发光二极管及所述第二发光二极管以串联方式耦接。所述控制电路耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管，用以在第一模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管的其中之一，及在第二模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管。

技术领域

本发明关于一种电子装置，尤其关于电子装置的控制电路可根据操作模式，致能两个发光二极管的其中之一，或致能两个发光二极管的电子装置。

背景技术

在主动矩阵发光二极管的应用中，每个可独立调光的区域可设计为包括多个发光二极管，举例来说，一区域可包括两个晶体管及一电容(2T1C)，用以控制两个发光二极管。其中，两个发光二极管是一起被致能或一起被失能。当两个发光二极管被致能，区域的状态为亮态，当两个发光二极管被失能，区域的状态为暗态。为了提高局部调光的对比程度，区域及区域间的距离会尽量减少，但这将造成两个区域之间的发光干扰。或者为了要增加发光二极管的生命周期(life time)时，可以在特定画面底下降低特定群组的发光二极管发光的数目。

图1是现有技术中，两个区域之间发生发光干扰的示意图。图1为具有发光二极管的侧面示意图及对应的发光强度图。如图1所示，区域z1包括发光二极管111及112，区域z2包括发光二极管121及122，发光二极管111，112，121及122可形成于基板S1。当发光二极管111及112被致能，发光强度的波形图会具有曲线c11及c12，分别对应于发光二极管111及112的发光强度。其中，图1的波形图的坐标，直轴为发光强度，横轴对应于水平位置。如图1可见，曲线c12位于区域z2的部分(曲线部分c122)，将会对于区域z2造成影响。当区域z2的发光二极管121及122被失能时，区域z2应该为暗态，且理想上应是越暗越好，然而，曲线部分c122将对于区域z2造成发光干扰，使区域z2过亮，从而不利于视觉上的对比程度，造成工程问题。

发明内容

本发明提供一种电子装置，包括第一群组及第二群组。所述第一群组包括至少第一发光二极管、第二发光二极管及第一控制电路。所述第一发光二极管及所述第二发光二极管以串联方式耦接。所述第一控制电路耦接于所述第一发光二极管及所述第二发光二极管，用以在第一模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管的其中之一，及在第二模式下致能所述第一发光二极管及所述第二发光二极管。

附图说明

图1是现有技术中，两个区域之间发生发光干扰的示意图。

图2是实施例的电子装置的示意图。

图3及图4是不同实施例中，图2的第一控制电路的驱动开关及发光二极管的耦接图。

图5是实施例中，图2的电子装置使用图3的耦接方式的示意图。

图6是实施例中，图2的电子装置使用图4的耦接方式的示意图。

图7是另一实施例中，图2的电子装置使用图3的耦接方式的示意图。

图8是另一实施例中，图2的电子装置还包括第三群组的示意图。

图9是实施例中，图8的电子装置基于图5的设计示意图。

图10是实施例中，图8的电子装置基于图6的设计示意图。

图11是实施例中，图8的电子装置基于图7的设计示意图。

图12是实施例中，图5至图7及图9至图11的驱动开关的电路图。