[发明专利]光通信开关、光控制方法、阵列基板以及显示装置在审
申请号: | 201811125244.7 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN109283768A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 王志东;周丽佳;张俊瑞;兰荣华 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/315 | 分类号: | G02F1/315 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光介质层 折射率 光通信开关 第二基板 第一基板 相变材料 加热装置 显示装置 阵列基板 光控制 相对设置 制作工艺 匹配 响应 配置 | ||
1.一种光通信开关,其特征在于,包括:
相对设置的第一基板以及第二基板;
第一光介质层,所述第一光介质层设置在所述第一基板以及所述第二基板之间,所述第一光介质层由相变材料形成,所述相变材料在第一状态下具有第一折射率,在第二状态下具有第二折射率;
第二光介质层,所述第二光介质层设置在所述第一基板以及所述第二基板之间,且所述第二光介质层和所述第一光介质层互相接触,所述第二光介质层的折射率与所述第一折射率或所述第二折射率相匹配;以及
加热装置,所述加热装置被配置为能够使所述相变材料在所述第一状态以及所述第二状态之间转变。
2.根据权利要求1所述的光通信开关,其特征在于,所述第二光介质层的折射率与所述第一折射率或所述第二折射率的偏差不大于25%。
3.根据权利要求2所述的光通信开关,其特征在于,所述第二光介质层的折射率与所述第一折射率和所述第二折射率中较大的一个的偏差不大于25%。
4.根据权利要求1所述的光通信开关,其特征在于,所述第一光介质层和所述第二光介质层之间具有接触面,且所述接触面为斜面,所述接触面与所述第一基板之间的夹角为α,其中,0<α≤90°。
5.根据权利要求4所述的光通信开关,其特征在于,所述第一光介质层和所述第二光介质层为相互配合的两个楔体,所述接触面为所述楔体的斜面。
6.根据权利要求5所述的光通信开关,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板平行设置,所述第一光介质层和所述第二光介质层为全等的两个所述楔体,所述楔体的底面为正四边形且平行于所述第一基板,所述楔体具有一个垂直于所述底面的正四边形侧壁,所述正四边形侧壁位于所述光通信开关中的外侧,光线沿着垂直于所述正四边形侧壁的方向入射至所述光通信开关中,所述接触面和所述第一基板之间的夹角与所述光线在所述接触面处发生全反射的入射临界角互余。
7.根据权利要求1所述的光通信开关,其特征在于,所述相变材料包括Ge2Sb2Te5,所述相变材料的所述第一状态为非晶态,所述相变材料的所述第二状态为晶态;
形成所述第二光介质层的材料包括二氧化钛。
8.根据权利要求7所述的光通信开关,其特征在于,所述第一光介质层以及所述第二光介质层为相互配合且全等的两个楔体,所述第一基板和所述第二基板平行设置,所述楔体具有一个正四边形的底面、两个相对设置的正三角形侧壁、第一四边形侧壁以及第二四边形侧壁,其中,所述正四边形的底面平行于所述第一基板,所述两个相对设置的正三角形侧壁垂直于所述底面,所述第一四边形侧壁为正四边形且垂直于所述底面,所述第一四边形侧壁位于所述光通信开关中的外侧,所述第一光介质层以及所述第二光介质层的接触面为所述第二四边形侧壁,所述接触面为斜面,且所述接触面和所述第一基板之间的夹角α为30°。
9.根据权利要求1所述的光通信开关,其特征在于,所述加热装置为加热电极,所述第一光介质层靠近所述第一基板设置,所述加热电极设置在所述第一光介质层靠近所述第一基板的一侧。
10.根据权利要求1所述的光通信开关,其特征在于,形成所述加热装置的材料包括氧化铟锡。
11.一种利用权利要求1-10任一项所述的光通信开关进行光控制的方法,其特征在于,包括:
通过加热装置使形成第一光介质层的相变材料在第一状态以及第二状态之间转变,以便改变光的出射方向。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述加热装置为加热电极,所述通过加热装置使形成第一光介质层的相变材料在第一状态以及第二状态之间转变进一步包括:
通过控制所述加热电极的电压,转变所述第一光介质层的状态。
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