[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具备：

腔室主体；

气体供给部，其构成为向由所述腔室主体提供的内部空间供给气体；

载置台，其设置在所述内部空间中，提供被加工物的载置区域，包括下部电极，所述载置区域的中心位于所述腔室主体的中心轴线上；

上部电极，其隔着所述内部空间设置于所述载置台的上方；

供电导体，其与所述上部电极连接，并且从该上部电极向上方延伸；

第一高频电源，其构成为产生第一高频，并且经由所述供电导体而与所述上部电极电连接；

第二高频电源，其构成为产生具有比所述第一高频的频率低的频率的第二高频，并且与所述下部电极电连接；

电磁体，其配置于所述上部电极的上方，并且构成为在所述内部空间中形成在远离所述中心轴线的位置具有比该中心轴线上的水平分量大的水平分量的磁场分布；

接地导体，其接地，并且在所述腔室主体的上方以覆盖所述上部电极的方式延伸，

其中，所述接地导体具有：

筒状的第一部分，其从所述腔室主体向上方延伸；

第二部分，其在上方与所述上部电极隔开间隔，并且从所述第一部分朝向所述中心轴线延伸，所述第二部分与所述第一部分一同在所述上部电极上提供第一空间；以及

筒状的第三部分，其设置于比所述第一部分更靠近所述中心轴线的位置，并且从所述第二部分向上方延伸，在所述第三部分中提供与所述第一空间连续的第二空间，

所述供电导体经过所述第一空间和所述第二空间而向上方延伸，

所述电磁体配置于第三部分的外侧、第二部分上且所述内部空间的上方的、由所述接地导体提供的外部空间中。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述接地导体还具有：

第四部分，其在所述第二部分的上方从所述第三部分向从所述中心轴线辐射的辐射方向延伸；

筒状的第五部分，其相比于所述第三部分更加远离所述中心轴线，并且从所述第四部分向上方延伸；以及

第六部分，其在所述第四部分的上方从所述第五部分朝向所述中心轴线延伸，

所述供电导体还经过由所述第四部分、所述第五部分以及所述第六部分围成的与所述第二空间连续的第三空间而向上方延伸。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述等离子体处理装置还具备用于向所述上部电极供给制冷剂的第一管，所述第一管从所述上部电极经过所述第一空间和所述第二空间而向上方延伸，并且经过所述第三空间而延伸到所述接地导体的侧方且外侧。

4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述上部电极构成将来自所述气体供给部的气体向所述内部空间喷出的喷淋头，

该等离子体处理装置还具备用于向所述喷淋头供给来自所述气体供给部的气体的第二管，所述第二管从所述上部电极经过所述第一空间和所述第二空间而向上方延伸，并且经过所述第三空间而延伸到所述接地导体的侧方且外侧。

5.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于，还具备：

直流电源，其产生向所述上部电极施加的负极性的直流电压；以及

配线，其将所述直流电源与所述上部电极彼此连接，

其中，所述配线从所述上部电极经过所述第一空间和所述第二空间而向上方延伸，并且经过所述第三空间而延伸到所述接地导体的侧方且外侧。

6.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述电磁体具有绕所述中心轴线卷绕的线圈。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述线圈的内径与外径的平均值为所述中心轴线与所述被加工物的边缘之间的距离以上。

8.根据权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述第二高频的所述频率比13.56MHz大。