[发明专利]TFT基板、具有TFT基板的扫描天线及TFT基板的制造方法

权利要求书

1.一种TFT基板，其是具有电介质基板、及排列在所述电介质基板上的多个天线单元区域，

所述多个天线单元区域的各个天线单元区域具有TFT和与所述TFT的漏极电极电连接的贴片电极，

且具备包含所述多个天线单元区域的发送接收区域、及位于所述发送接收区域以外的区域的非发送接收区域的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板具有：

源极金属层，其由所述电介质基板支承，且包含所述TFT的源极电极、所述漏极电极、及连接到所述源极电极的源极总线；

栅极金属层，其形成在所述源极金属层上，且包含所述TFT的栅极电极和连接到所述栅极电极的栅极总线；

所述TFT的半导体层，其由所述电介质基板支承；以及

栅极绝缘层，其形成在所述半导体层与所述栅极金属层之间，

所述源极金属层还包含所述贴片电极，

所述TFT基板还具有配置在所述非发送接收区域的源极端子部，

所述源极端子部具有：

源极端子用下部连接部，其包含于所述源极金属层，且与所述源极总线电连接；

第一开口部，其形成于所述栅极绝缘层，且达到所述源极端子用下部连接部；以及

源极端子用上部连接部，其在所述第一开口部内与所述源极端子用下部连接部连接，

所述栅极金属层还包含所述源极端子用上部连接部，

所述TFT基板还具有：

第二开口部，其形成于所述栅极绝缘层，且达到所述贴片电极；及

连接部，其覆盖在所述第二开口部内露出的所述贴片电极，

所述栅极金属层还包含所述连接部。

2.如权利要求1的TFT基板，其特征在于，所述栅极金属层包含：第一导电层，其由选自由MoNbNi层、MoNb层、MoW层、W层、Ta层、及Ti层构成的组的一个层或者两个以上层的叠层而形成；及第二导电层，其形成在所述第一导电层上，且包含透明导电层。

3.如权利要求2的TFT基板，其特征在于，

所述源极端子用上部连接部包含所述第一导电层与所述第二导电层，

所述源极端子用上部连接部的所述第一导电层的侧面与所述源极端子用上部连接部的所述第二导电层的侧面对准。

4.如权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，

所述连接部包含所述第一导电层与所述第二导电层，

所述连接部的所述第一导电层的侧面与所述连接部的所述第二导电层的侧面对准。

5.如权利要求1至4中任一项的TFT基板，其特征在于，

所述TFT基板还具有配置在所述非发送接收区域的栅极-源极连接部，

所述栅极-源极连接部具有：

栅极下部连接配线，其包含于所述源极金属层，且与所述源极总线电分离；

第三开口部，其形成于所述栅极绝缘层，且达到所述栅极下部连接配线；以及

栅极总线连接部，其包含于所述栅极金属层，与所述栅极总线电连接，且在所述第三开口部内与所述栅极下部连接配线连接。

6.如权利要求5的TFT基板，其特征在于，

所述TFT基板还具有配置在所述非发送接收区域的栅极端子部，

所述栅极端子部具有：

栅极端子用下部连接部，其包含于所述源极金属层，且与所述栅极下部连接配线电连接；

第四开口部，其形成于所述栅极绝缘层，且达到所述栅极端子用下部连接部；以及

栅极端子用上部连接部，其包含于所述栅极金属层，且在所述第四开口部内与所述栅极端子用下部连接部连接。