[发明专利]圆片级封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201811126339.0 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109399551A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 柯武生 | 申请（专利权）人： | 广西桂芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 530007 广西壮族自治区南宁市*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 圆片级封装结构 硅衬底 硅盖板 高阻 可动 腔体 通孔 垂直互连 传统的 电互连 电连接 硅键合 密封环 上通孔 吸气剂 盖板 互连 寄生 串扰 导出 键合 凸点 封装 金属 申请 | ||
1.一种圆片级封装结构，其特征在于：包括硅衬底（1）和高阻硅盖板（4）；硅衬底（1）上设有硅可动腔体（2）、金属-硅键合密封环（3）和吸气剂（6），高阻硅盖板（4）上开有两个通孔，通孔内有Pb-Sn凸点（5）与硅可动腔体（2）键合。
2.根据权利要求1所述的圆片级封装结构，其特征在于：封装方法如下：
（1）在硅衬底上表面进行光刻并干法刻蚀形成腔体，腔体深度不超过30μm；
（2）双面光刻形成通孔窗口，之后采用深反应离子刻蚀刻蚀出通孔，最后用四甲基氢氧化铵对通孔侧壁进行抛光形成最终电极引出通孔；
（3）在形成通孔的硅表面热氧化生长一层致密的二氧化硅；
（4）在氧化层上溅射Ti／Au做为电镀种子层，接下来采用选择性电镀工艺制备厚度为1m的金属-硅键合密封环；
（5）金属-硅键合密封环形成后，若要实现真空封装的盖板腔体内生长吸气剂，不用真空封装的可省略这一步；
（6）将高阻硅盖板与加工好的圆片在对位设备上进行预对准，接下来编制键合程序在圆片键合机上实现金属-硅共晶键合；
（7）键合后采用磁控溅射工艺对通孔进行金属化形成凸点下金属层，在下金属层上生长SnPb焊层，光刻去除焊盘周围金属；回流形成Pb-Sn凸点。
3.根据权利要求2所述的半导体的封装方法，其特征在于：步骤（6）中键合温度峰值400℃，峰值温度处维持10～15min。
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