[发明专利]无源矩阵有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201811126351.1 | 申请日: | 2018-09-26 |
公开(公告)号: | CN109585498B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 蒋洪在;申亨哲;尹一炫;王华志;劳树根;张景豪;李业辉 | 申请(专利权)人: | 晶门科技(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人: | 王琴;曹玉存 |
地址: | 210032 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无源 矩阵 有机 发光二极管 显示器 | ||
本发明公开了一种PMOLED显示器,显示器包括在x轴方向上平行布置的多个下电极图案,与下电极图案垂直的y轴方向上平行布置的多个透明电极图案,以及插入在下电极图案和透明电极图案之间的有机化合物层,通过在每个显示帧时间内,将控制时段分时为用于下电极图案和透明电极图案的显示控制时段和触感控制时段,以执行显示输出和触摸感测。所述PMOLED显示器包括:形成在用于透明电极图案和显示驱动电路之间通信的线上的驱动节点;连接驱动节点和触摸感测电路的触摸感测单元;以及设置在透明电极图案之间以具有比透明电极图案短的长度的多个金属电极图案。
技术领域
本发明涉及一种在有机发光二极管中使用无源矩阵有机发光二极管(PMOLED)的显示器。具体而言,涉及一种能够通过PMOLED中的内嵌结构实现触摸功能的PMOLED显示器。
背景技术
由于有机发光二极管直接从位于阴极和阳极之间的发光层发射光,具有不需要背光的优点,光的表现范围比液晶显示器(LCD)的表现范围宽,且黑色水平非常好。 也就是说,在有机发光二极管中,当电压施加到阴极和阳极时,电子和空穴被注入到每个电极中,并且注入的电子和空穴分别穿过电子传输层和空穴传输层,在发射层中彼此耦合。
发光层的发光材料被耦合引起的能量激发,并且当发光材料再次从激发态返回到基态时产生光。当发光材料由于荧光而从激发态(单重态)返回到基态时产生光,并且当发光材料通过具有轻微低能量水平的三重态而从单重态返回到基态时使用的光是磷光。尽管处于激发状态,但没有正确使用的能量可能会因没有散发出去而失去活性。
在有机发光二极管中,可以使用诸如铝和银/镁合金,钙等的金属薄膜作为阴极,使用诸如被称为ITO的氧化铟锡的透明金属薄膜作为阳极。在阴极和阳极之间形成的有机化合物层可以包括空穴注入层(HIL),空穴传输层(HTL),发光层(EML),电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。当在阴极和阳极之间施加驱动电压时,穿过HTL的空穴和穿过ETL的电子移动到EML以形成激子,最终EML产生可见光。产生的光在反射表面上反射并透射透明电极和基板(玻璃板,塑料板等)。
根据其控制模式,有机发光二极管可以分为无源矩阵有机发光二极管(PMOLED)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。
PMOLED具有这样的结构,即分别向设置在屏幕上的发光元件的水平轴和垂直轴中的每一个施加电压以照亮其交叉点,因此该结构相对简单且生产成本低,但存在不能产生精密屏幕的缺点。AMOLED旨在克服PMOLED的缺点,并且具有为每个发光元件嵌入薄膜晶体管(TFT)以分别控制每个元件是否发光的优点,最近,由于屏幕尺寸可能应用于大型设备扩宽了其应用范围。
韩国专利No. 10-1170806描述了用于无源矩阵的装置,但是具体地,并没有描述在PMOLED中实现触摸功能的方法。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种能够通过PMOLED中的内嵌型实现触摸功能和二维的布置触摸区域的PMOLED显示器。
本发明的另一目的是提供一种PMOLED显示器,其能够在PMOLED中实现触摸功能时消除残余电容的影响。
本发明的又一个目的是提供一种结构改进的PMOLED显示器,以在PMOLED中实现触摸功能。
根据为了实现本发明目的的本发明的一个示例性实施例,提供了一种PMOLED显示器,该PMOLED显示器包括在x轴方向上平行布置的多个下电极图案,与下电极图案垂直的y轴方向上平行布置的多个透明电极图案,以及插入在下电极图案和透明电极图案之间的有机化合物层,通过在每个显示帧时间内,将控制时段分时为用于下电极图案和透明电极图案的显示控制时段和触感控制时段,以执行显示输出和触摸感测。所述PMOLED显示器包括:形成在用于透明电极图案和显示驱动电路之间通信的线上的驱动节点;连接驱动节点和触摸感测电路的触摸感测单元;以及设置在透明电极图案之间以具有比透明电极图案短的长度的多个金属电极图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的