[发明专利]通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法

权利要求书

1.通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，包括：采用金属辅助腐蚀法在硅片表面制备纳米绒面结构；采用选择性腐蚀法对具备纳米绒面结构的硅片进行处理，在硅片表面形成呈现晶向特征的腐蚀形貌；运用扫描电子显微镜对呈现晶向特征的腐蚀形貌进行表征；依据扫描电子显微镜采样，对比<100>晶向腐蚀形貌结构特征，判断晶粒晶向。

2.如权利要求1所述的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，所述采用选择性腐蚀法对具备纳米绒面结构的硅片进行处理包括：

将具备纳米绒面结构的硅片放入浓度为0.5～1wt％的氢氧化钾溶液中进行择优腐蚀；

将择优腐蚀后的硅片放入浓度为0.05～0.1wt％的氢氧化钾和双氧水的混合溶液中进行表面修正并进行酸洗烘干。

3.如权利要求2所述的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，在65-85℃温度范围，将具备纳米绒面结构的硅片放入氢氧化钾溶液中。

4.如权利要求2所述的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，在室温下，将择优腐蚀后的硅片放入氢氧化钾和双氧水的混合溶液中。

5.如权利要求1所述的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，对不同腐蚀形貌，计算其与<100>晶向硅晶格的倾角，从而判断具备该腐蚀形貌的晶粒晶向。

6.如权利要求1所述的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，所述采用金属辅助腐蚀法在抛光后的硅片表面制备纳米绒面结构包括：

将抛光后的硅片放入金属盐溶液中坠饰金属颗粒；

将坠饰金属颗粒的硅片放入HF/H₂O₂氧化性溶液中进行纳米绒面结构制备；

对具备纳米绒面结构的硅片进行金属颗粒去除处理。

7.如权利要求6所述的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，所述金属盐溶液为AgNO₃溶液。

8.如权利要求6所述的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，将具备纳米绒面结构的硅片放入双氧水和氨水混合溶液中去除金属颗粒。

9.如权利要求1所述的通过选择性腐蚀测试多晶硅晶粒晶向的方法，其特征在于，在硅片表面制备纳米绒面结构之前还包括硅片双面抛光的步骤，具体为：将硅片放入NaOH和NaClO的混合碱溶液中清洗，去除表面损伤层、切割线痕，完成双面抛光。