[发明专利]薄膜体声波谐振器及其制作方法在审
| 申请号： | 201811127172.X | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110957989A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张晓东;于伦;林文魁;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;赵世发 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 声波 谐振器 及其 制作方法 | ||
1.一种薄膜体声波谐振器的制作方法，其特征在于包括：
在SOI衬底的第一表面上制作下电极；
在所述SOI衬底的第一表面和下电极上形成压电层；
在所述压电层上形成顶电极；
于SOI衬底的第二表面上加工形成空气腔，所述第二表面和第一表面相背对设置。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：采用离子注入的方式对SOI衬底的顶层硅进行处理，至少使选定区域的顶层硅形成高掺杂导电硅层，之后对所述高掺杂导电硅层进行图形化加工以形成所述的下电极。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：直接在SOI衬底的第一表面的选定区域上制作导电薄膜层，之后对所述的导电薄膜层进行图形化加工形成所述的下电极。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述导电薄膜层的材质包括石墨烯、钼、钨中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：采用气相外延生长或磁控溅射生长的方式形成所述压电层。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述压电层的材质包括A1N。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于：所述压电层为C轴取向的A1N压电薄膜。
8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于包括：在所述SOI衬底的第一表面和下电极上制作形成压电薄膜后再进行图形化加工形成所述的压电层。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在所述压电层与下电极对应的部分区域还形成有与外界连通的通孔。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于包括：采用感应耦合等离子体刻蚀技术在所述压电层上加工形成所述的通孔。
11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：采用电子束蒸发的方式制作形成顶电极层后再进行图形化加工形成所述的顶电极；优选的，所述的顶电极包括Pt电极。
12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述的SOI衬底的取向为(111)或(100)。
13.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述空气腔形成于SOI衬底的背衬底内。
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于：所述空气腔的深度为50-1000μm，所述空气腔的面积为10μm*10μm-1mm*1mm。
15.由权利要求1-14中任一项所述的薄膜体声波谐振器的制作方法形成的薄膜体声波谐振器。
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