[发明专利]III族氮化物光电子器件的制作方法

权利要求书

1.一种III族氮化物光电子器件的制作方法，包括在衬底上生长形成光电子器件结构的步骤，所述光电子器件结构包括N型层、有源区发光层及P型层；其特征在于还包括：在所述光电子器件结构上设置掩模，并利用所述掩模至少对所述N型层、有源区发光层及P型层中的任一者或多种进行选择性氧化，从而调控所述光电子器件结构的出光区域的面积和/或形状。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：在所述的选择性氧化过程中，至少通过独立调节氧化工艺的温度和/或气氛，以控制被氧化区域的宽度和深度；优选的，所述氧化工艺的温度为600-1200℃，氧化工艺的气氛包括O₂气氛、O₂与N₂混合气氛、N₂O气氛、空气气氛中的任意一种或两种以上的组合；优选的，被氧化区域的宽度为10nm-10μm，深度为10nm-10μm。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：在所述的选择性氧化过程中，使所述光电子器件结构上与氧化试剂接触区域的氮化镓和/或氮化镓的合金材料被氧化，形成高阻氧化镓。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述的氧化试剂包括氧气或氧气与氮气的混合气体。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述出光区域的面积被控制为微米量级。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述掩模的材质包括二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝、光刻胶中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：采用离子注入方式在所述光电子器件结构中形成离子注入区域，所述离子注入区域连续贯穿所述P型层及有源区发光层并到达N型层，其后在所述光电子器件结构上设置掩模，并进行所述的选择性氧化。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：在所述光电子器件结构上加工出台面结构，之后在所述光电子器件结构上设置掩模，并进行所述的选择性氧化。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述的选择性氧化具体包括：在氧化气氛中，对具有台面结构的所述光电子器件结构进行侧向氧化，并至少通过控制氧化时间，实现对所述出光区域的出光面积和/或形状的控制。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述选择性氧化的方式包括湿法氧化、干法氧化或者干湿混合氧化。

11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于还包括制作与所述光电子器件结构的P型层、N型层配合的电极的步骤。

12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述光电子器件结构包括依次形成于衬底上的缓冲层、N型层、量子阱发光层、电子阻挡层和P型层。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于：所述缓冲层的材质包括GaN；优选的，所述N型层的材质包括N-GaN；优选的，所述量子阱发光层包括InGaN/GaN多量子阱或AlGaN/GaN多量子阱；优选的，所述电子阻挡层的材质包括AlGaN；优选的，所述P型层的材质包括P-GaN；优选的，所述衬底的材质包括Si、GaN、SiC、SOI、蓝宝石中的任意一种。

14.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述III族氮化物光电子器件包括III族氮化物Micro-LED、VCSEL、SLD、LED器件中的任意一种。

15.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述III族氮化物光电子器件的结构包括正装结构、倒装结构和垂直结构中的任意一种。