[发明专利]具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法

说明书

本申请提供一种具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法，包括步骤：S1、获得包括量子点的第一混合液；S2、以H₂S气体作为硫源，在第一温度下为量子点包覆ZnS壳层，得到具有ZnS壳层包覆的量子点；其中，第一温度的范围为20～60℃。本申请以H₂S气体作为硫源，在较低的温度下实现了量子点上ZnS壳层的较好包覆，且由于在包覆ZnS壳层时未使用具有强配位能力的硫源配体，使得所制备的具有ZnS壳层包覆的量子点的后期转相过程更加容易。

技术领域

本申请属于纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法。

背景技术

量子点由于其发射峰位置可调、荧光量子效率高、光谱纯等优秀的光学特性，在显示、照明、生命科学和荧光标记等领域中表现出良好的应用前景，成为最具发展潜力的纳米材料之一。

在量子点如InP、CdSe的表面生长ZnS壳层，可以优化量子点的光学性能及光学稳定性，但是，现有技术在量子点表面包覆ZnS壳层时，一般都采用高温。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法，包括以下步骤：

S1、获得包括量子点的第一混合液；

S2、以H₂S气体作为硫源，在第一温度下为量子点包覆ZnS壳层，得到具有ZnS壳层包覆的量子点；

其中，第一温度的范围为20～60℃。

在本申请中，发明人发现，气体硫源H₂S作为生长ZnS壳层所需要的硫源，可以实现在较低的温度下为量子点包覆ZnS壳层，并获得稳定性高的量子点。且由于在ZnS壳层的生长过程中并未使用具有较强配位能力的硫源配体，如十二硫醇等，使得量子点的后期转相过程变得容易。

在本发明一些优选实施例中，具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法包括以下步骤：

S1、获得量子点，将量子点分散在有机溶剂中，得到包括量子点的第一混合液；

S2、在第一温度下，向包括量子点的第一混合液中加入锌源，接着，通入H₂S气体，为量子点包覆ZnS壳层，得到具有ZnS壳层包覆的量子点。

在本发明一些优选实施例中，具有ZnS壳层包覆的量子点的制备方法包括以下步骤：

S1、在有机溶剂中直接制备包括量子点的第一混合液；

S2、在第一温度下，向包括量子点的第一混合液中加入锌源，接着，通入H₂S气体，为量子点包覆ZnS壳层，得到具有ZnS壳层包覆的量子点。

发明人发现，向由量子点直接分散在有机溶剂中获得的包括量子点的第一混合液中加入锌源并通入H₂S气体，可以在第一温度范围中的较低温度(20～40℃)下，为量子点包覆ZnS壳层。而向在有机溶剂中直接制备的包括量子点的第一混合液中加入锌源并通入H₂S气体，则需要在第一温度范围中的较高温度(40～60℃)下，为量子点包覆ZnS壳层。

在本发明一些较为优选的实施例中，在室温下(24℃)，直接向由量子点直接分散在有机溶剂中获得的包括量子点的第一混合液中加入锌源并通入H₂S气体，从而为量子点包覆ZnS壳层。由此，为量子点包覆ZnS壳层时无需加热等操作，更加简便和快捷。